[發明專利]半導體元件及其制備方法

在審

• 申請號: 202010624845.3
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN112447722A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 蘇國輝
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L23/528;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一基底，具有一上表面；

多個第一位元線接觸點以及多個第二位元線接觸點，所述多個第一位元線接觸點是接觸該基底的該上表面，所述多個第二位元線接觸點是接觸該基底的該上表面，其中所述多個第一位元線接觸點以及所述多個第二位元線接觸點沿一第一方向而位于不同水平面；

多個第一位元線，分別地對應設置在所述多個第一位元線接觸點上；

多個第二位元線，分別地對應設置在所述多個第一位元線接觸點上；以及

其中所述多個第二位元線接觸點的頂表面與所述多個第一位元線的頂表面沿一第二方向而位于不同水平面，該第二方向大致地垂直該第一方向。

2.如權利要求1所述的半導體元件，還包括一氣隙，該氣隙設置在該第一位元線接觸點與該第二位元線之間。

3.如權利要求2所述的半導體元件，還包括一氮化物間隙子，該氮化物間隙子設置在該第一位元線接觸點與該氣隙之間。

4.如權利要求2所述的半導體元件，其中該氣隙具有一間隙子形狀。

5.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第二位元線接觸點具有一上寬度以及一下寬度，該下寬度小于該上寬度。

6.如權利要求1所述的半導體元件，其中所述多個第一位元線相互分開且相互平行設置。

7.如權利要求6所述的半導體元件，其中所述多個第二位元線設置在相鄰兩個第一位元線之間。

8.如權利要求1所述的半導體元件，其中該第二位元線具有一上寬度以及一下寬度，該下寬度小于該上寬度。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其中該第二位元線接觸點具有一上寬度以及一下寬度，該下寬度小于該上寬度，且該第二位元線的該下寬度小于該第二位元線接觸點的該上寬度。

10.如權利要求1所述的半導體元件，其中所述多個第二位元線的底表面位于一垂直水平面，該垂直水平面高于所述多個第一位元線的頂表面。

11.一種半導體元件的制備方法，包括：

提供一基底，該基底具有一上表面；

形成多個第一位元線接觸點，所述多個第一位元線接觸點接觸該基底的該上表面；

形成多個第一位元線，所述多個第一位元線分別地對應位于所述多個第一位元線接觸點上；

形成多個第二位元線接觸點，所述多個第二位元線接觸點接觸該基底的該上表面，其中所述多個第一位元線接觸點與所述多個第二位元線接觸點沿著一第一方向而位于不同水平面；以及

形成多個第二位元線，所述多個第二位元線分別的對應位于所述多個第一位元線接觸點上；

其中所述多個第二位元線接觸點的頂表面與所述多個第一位元線的頂表面沿一第二方向而位于不同水平面，該第二方向大致地垂直該第一方向。

12.如權利要求11所述的半導體元件的制備方法，還包括：在該第一位元線接觸點與該第二位元線之間形成一氣隙。

13.如權利要求12所述的半導體元件的制備方法，還包括：

形成一開口以暴露一主動區的一中心部位；

在該開口中形成一第一間隙子，并形成一第二間隙子以覆蓋該第一間隙子；以及

移除該第一間隙子。

14.如權利要求12所述的半導體元件的制備方法，還包括：在該第二位元線接觸點與該氣隙之間形成一氮化物間隙子。

15.如權利要求12所述的半導體元件的制備方法，其中該氣隙具有一間隙子形狀。