[發(fā)明專利]一種外延層續(xù)長方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010622415.8
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111725054A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發(fā)明（設計）人: 楊國文;趙勇明;張雨;趙衛(wèi)東
• 申請（專利權）人: 度亙激光技術(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3065;H01L33/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚飛

本申請實施例提供一種外延層續(xù)長方法，所述外延層續(xù)長方法包括：將生長中斷的外延片置于反應室中，通入保護氣體；將所述反應室的溫度升高至目標溫度；通入刻蝕氣體對所述外延片的生長中斷層進行刻蝕；完成目標深度的刻蝕后，停止通入所述刻蝕氣體；通入生長材料，繼續(xù)生長目標層。本申請實現(xiàn)了生長中斷的外延片續(xù)長，降低外延生長的報廢率。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種外延層續(xù)長方法。

背景技術

在半導體材料外延生長的過程中，設備故障、電路故障、工藝氣體不足等原因都有可能使外延層因生長異常而出現(xiàn)生長中斷，產(chǎn)生大量報廢外延片。為了盡可能減少損失，廠家會采用高溫退火，解吸附分解生長中斷的外延層，然后繼續(xù)生長。但是，在解吸附后可能會在外延層表面形成金屬滴，影響后續(xù)生長，另外，解吸附需要在較高溫度下進行，會造成底層外延層質(zhì)量的降低，導致器件性能的惡化。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實施例的目的在于提供一種外延層續(xù)長方法，用以實現(xiàn)生長中斷的外延片續(xù)長，降低外延生長的報廢率。

本申請實施例第一方面提供了一種外延層續(xù)長方法，包括：將生長中斷的外延片置于反應室中，通入保護氣體；將所述反應室的溫度升高至目標溫度；通入刻蝕氣體對所述外延片的生長中斷層進行刻蝕；完成目標深度的刻蝕后，停止通入所述刻蝕氣體；通入生長材料，繼續(xù)生長目標層。

于一實施例中，所述保護氣體的流量為50sccm至2000sccm。

于一實施例中，所述保護氣體包括第一保護氣體和第二保護氣體。

于一實施例中，所述第一保護氣體為氫氣。

于一實施例中，所述第二保護氣體為砷烷、磷烷、TBAs、TBP中的一種或多種。

于一實施例中，在所述通入刻蝕氣體對所述外延片的生長中斷層進行刻蝕之前，還包括：停止通入所述第二保護氣體。

于一實施例中，所述目標溫度等于所述生長中斷層正常生長時的表面溫度。

于一實施例中，所述刻蝕氣體為CBr₄或CCl₄中的一種。

于一實施例中，所述生長中斷層為有源層，所述目標深度等于所述有源層的厚度。

于一實施例中，所述生長中斷層為除有源層以外的外延層，所述目標深度小于所述生長中斷層的厚度。

本申請采用刻蝕氣體對生長中斷的外延層進行刻蝕后重新生長，不僅避免了解吸附產(chǎn)生金屬滴，還減小了對生長中斷前已經(jīng)生長完畢的底層外延層的影響，提高了后續(xù)重新生長的外延層質(zhì)量和器件性能。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例的技術方案，下面將對本申請實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本申請的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關的附圖。

圖1為本申請一實施例的外延片的結構示意圖；

圖2為本申請一實施例的外延層續(xù)長方法的流程示意圖；

圖3為本申請另一實施例的外延層續(xù)長方法的流程示意圖。

附圖標記：

100-外延片，110-襯底，120-外延層，121-緩沖層，122-下包層，123-下波導層，124-有源層，125-上波導層，126-上包層，127-接觸層。

具體實施方式

下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行描述。