[發明專利]一種外延層續長方法

在審

• 申請號: 202010622415.8
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111725054A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 楊國文;趙勇明;張雨;趙衛東
• 申請（專利權）人: 度亙激光技術(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3065;H01L33/00
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚飛

1.一種外延層續長方法，其特征在于，包括：

將生長中斷的外延片置于反應室中，通入保護氣體；

將所述反應室的溫度升高至目標溫度；

通入刻蝕氣體對所述外延片的生長中斷層進行刻蝕；

完成目標深度的刻蝕后，停止通入所述刻蝕氣體；

通入生長材料，繼續生長目標層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護氣體的流量為50sccm至2000sccm。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述保護氣體包括第一保護氣體和第二保護氣體。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一保護氣體為氫氣。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二保護氣體為砷烷、磷烷、TBAs、TBP中的一種或多種。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述通入刻蝕氣體對所述外延片的生長中斷層進行刻蝕之前，還包括：

停止通入所述第二保護氣體。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述目標溫度等于所述生長中斷層正常生長時的表面溫度。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕氣體為CBr₄或CCl₄中的一種。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述生長中斷層為有源層，所述目標深度等于所述有源層的厚度。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述生長中斷層為除有源層以外的外延層，所述目標深度小于所述生長中斷層的厚度。