[發明專利]半導體封裝方法及半導體封裝結構

在審

• 申請號: 202010621946.5
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111755340A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 霍炎;涂旭峰
• 申請（專利權）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/16;H01L23/31;H01L23/373
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張玲玲

本申請提供一種半導體封裝方法及半導體封裝結構。所述半導體封裝方法包括：將至少一個待封裝的芯片及輔助件貼裝于載板上；輔助件包括與所述芯片一一對應的輔助結構，芯片包括第一面及與第一面相對的第二面，第一面朝向載板，第一面設有多個焊墊；輔助件包括第三面及與第三面相對的第四面，所述第一面與所述第三面位于同一側，所述第二面與所述第四面位于同一側，所述第三面朝向所述載板；形成包封層，所述包封層覆蓋在所述載板上，包封所述至少一個待封裝的芯片及所述輔助件，所述第二面及所述第四面露出所述包封層；在與所述第二面一側形成散熱層，所述散熱層覆蓋所述芯片及所述輔助結構；所述散熱層的材料與所述輔助結構的材料均為金屬。

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種半導體封裝方法及半導體封裝結構。

背景技術

常見的半導體封裝技術，比如芯片封裝技術主要包含下述工藝過程：首先將芯片正面通過膠帶粘接在載板上，進行熱壓塑封，將載板剝離，然后在芯片正面形成再布線結構，并進行封裝。

為了提升芯片的散熱性能，通常在封裝的過程中于芯片的背面形成金屬散熱層。但是金屬散熱層與芯片及包封層的材質不同，不同材質的晶格常數不同，導致芯片及包封層與金屬散熱層之間的結合力較差，金屬散熱層與芯片及包封層可能會發生剝離，影響產品的可靠性。

發明內容

本申請實施例的第一方面提供了一種半導體封裝方法。所述半導體封裝方法包括：

將至少一個待封裝的芯片及輔助件貼裝于載板上；所述輔助件包括與所述芯片一一對應的輔助結構，所述芯片包括第一面及與所述第一面相對的第二面，所述第一面朝向所述載板，所述第一面設有多個焊墊；所述輔助件包括第三面及與所述第三面相對的第四面，所述第一面與所述第三面位于同一側，所述第二面與所述第四面位于同一側，所述第三面朝向所述載板；

形成包封層，所述包封層覆蓋在所述載板上，包封所述至少一個待封裝的芯片及所述輔助件，所述第二面及所述第四面露出所述包封層；

在所述第二面一側形成散熱層，所述散熱層覆蓋所述芯片及所述輔助結構；所述散熱層的材料與所述輔助結構的材料均為金屬。

在一個實施例中，所述輔助結構的材料與所述散熱層的材料相同。

在一個實施例中，所述輔助結構包括輔助部，所述輔助部環繞對應的所述芯片設置且連續不間斷；所述第三面及所述第四面分別露出所述包封層。

在一個實施例中，所述輔助部與對應的所述芯片間隔設置，所述散熱層覆蓋所述包封層位于所述芯片與所述輔助部之間的部分。

在一個實施例中，所述輔助結構還包括設置在所述輔助部外側的多個間隔排布的引腳，所述引腳與所述輔助部間隔設置。

在一個實施例中，所述輔助結構還包括由所述輔助部向外側延伸出的連接部，所述輔助件還包括框架體，所述輔助結構的所述連接部及所述引腳分別與所述框架體連接；

所述在所述第二面一側形成散熱層之后，所述半導體封裝方法還包括：

去除所述框架體。

在一個實施例中，所述形成包封層，包括：

形成包封結構，所述包封結構覆蓋在所述載板上，全部包封所述至少一個待封裝的芯片、所述輔助部及所述引腳，所述引腳背離所述載板的表面到所述載板的距離大于所述第四面到所述載板的距離；

對所述包封結構及所述引腳進行減薄處理，使所述包封結構形成所述包封層，所述第二面、所述引腳背離所述載板的表面及所述第四面齊平且均露出所述包封層。

在一個實施例中，所述半導體封裝方法還包括：

剝離所述載板，露出所述第一面及所述第三面；