[發明專利]半導體封裝方法及半導體封裝結構

在審

• 申請號: 202010621946.5
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111755340A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 霍炎;涂旭峰
• 申請（專利權）人: 矽磐微電子（重慶）有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L21/56;H01L23/16;H01L23/31;H01L23/373
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 張玲玲

1.一種半導體封裝方法，其特征在于，所述半導體封裝方法包括：

將至少一個待封裝的芯片及輔助件貼裝于載板上；所述輔助件包括與所述芯片一一對應的輔助結構，所述芯片包括第一面及與所述第一面相對的第二面，所述第一面朝向所述載板，所述第一面設有多個焊墊；所述輔助件包括第三面及與所述第三面相對的第四面，所述第一面與所述第三面位于同一側，所述第二面與所述第四面位于同一側，所述第三面朝向所述載板；

形成包封層，所述包封層覆蓋在所述載板上，包封所述至少一個待封裝的芯片及所述輔助件，所述第二面及所述第四面露出所述包封層；

在所述第二面一側形成散熱層，所述散熱層覆蓋所述芯片及所述輔助結構；所述散熱層的材料與所述輔助結構的材料均為金屬。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述輔助結構的材料與所述散熱層的材料相同。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述輔助結構包括輔助部，所述輔助部環繞對應的所述芯片設置且連續不間斷；所述第三面及所述第四面分別露出所述包封層。

4.根據權利要求3所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述輔助部與對應的所述芯片間隔設置，所述散熱層覆蓋所述包封層位于所述芯片與所述輔助部之間的部分。

5.根據權利要求3所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述輔助結構還包括設置在所述輔助部外側的多個間隔排布的引腳，所述引腳與所述輔助部間隔設置。

6.根據權利要求5所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述輔助結構還包括由所述輔助部向外側延伸出的連接部，所述輔助件還包括框架體，所述輔助結構的所述連接部及所述引腳分別與所述框架體連接；

所述在所述第二面一側形成散熱層之后，所述半導體封裝方法還包括：

去除所述框架體。

7.根據權利要求5所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述形成包封層，包括：

形成包封結構，所述包封結構覆蓋在所述載板上，全部包封所述至少一個待封裝的芯片、所述輔助部及所述引腳，所述引腳背離所述載板的表面到所述載板的距離大于所述第四面到所述載板的距離；

對所述包封結構及所述引腳進行減薄處理，使所述包封結構形成所述包封層，所述第二面、所述引腳背離所述載板的表面及所述第四面齊平且均露出所述包封層。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述半導體封裝方法還包括：

剝離所述載板，露出所述第一面及所述第三面；

在所述第一面一側形成絕緣層，所述絕緣層覆蓋所述芯片、所述輔助件及所述包封層；

在所述絕緣層上形成接觸孔，所述接觸孔暴露所述焊墊；

在所述絕緣層上形成用于將所述焊墊引出的再布線層。

9.一種半導體封裝結構，其特征在于，包括：

包封層，所述包封層設有至少一個第一容納槽與至少一個第二容納槽，所述第一容納槽貫穿所述包封層；

至少一個待封裝的芯片，所述芯片與所述第一容納槽一一對應，所述芯片嵌設在對應的所述第一容納槽內，所述芯片包括第一面及與所述第一面相對的第二面，所述第一面設有多個焊墊；所述第一面及所述第二面分別露出所述包封層；

與所述芯片一一對應的輔助結構，所述輔助結構與所述第二容納槽一一對應，所述輔助結構嵌設在所述第二容納槽中；所述輔助結構包括第三面及與所述第三面相對的第四面，所述第三面與所述第一面位于同一側，所述第四面與所述第二面位于同一側，所述第四面露出所述包封層；

散熱層，位于所述第二面一側，所述散熱層覆蓋所述芯片及所述輔助結構；所述散熱層的材料與所述輔助結構的材料均為金屬。