[發(fā)明專利]發(fā)光二極管器件及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010619865.1
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN113871542B
• 公開（公告）日: 2023-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李東;鮑里斯.克里斯塔爾
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方技術(shù)開發(fā)有限公司
• 主分類號: H10K50/16
• 分類號: H10K50/16;H10K50/115;H10K71/00;H10K59/12;H10K59/122
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 劉曉冰

一種發(fā)光二極管器件及其制備方法、顯示面板。該發(fā)光二極管器件包括襯底、第一電極層、電子傳輸層、量子點發(fā)光層以及第二電極層。第一電極層層疊設(shè)置在襯底上；電子傳輸層層疊設(shè)置在第一電極層遠(yuǎn)離襯底的表面上；量子點發(fā)光層層疊設(shè)置在電子傳輸層遠(yuǎn)離第一電極層的表面上；第二電極層層疊設(shè)置在量子點發(fā)光層遠(yuǎn)離電子傳輸層的表面上；其中，電子傳輸層遠(yuǎn)離第一電極層的表面為包括多個凸起的第一凹凸表面。由此，通過使電子傳輸層與量子點發(fā)光層接觸的表面為包括多個凸起的第一凹凸表面，可以增加電子傳輸層與量子點發(fā)光層的接觸面積，從而改善由于電子注入少而引起的量子點發(fā)光層中載流子不平衡的問題，同時改善量子點發(fā)光層激子俄歇復(fù)合的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種發(fā)光二極管器件及其制備方法、顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示裝置的種類也越來越多。發(fā)光二極管(LightEmitting Diode，LED)顯示裝置由于其具有自發(fā)光、亮度高、工作電壓低、功耗小、壽命長、耐沖擊和性能穩(wěn)定等優(yōu)點受到業(yè)界廣泛的關(guān)注。并且，由于發(fā)光二極管顯示裝置不需要額外設(shè)置背光模組，具有較輕的重量，從而利于顯示裝置的輕薄化，因此具有較好的市場前景。

量子點是一種溶液可加工的半導(dǎo)體納米晶體，具有發(fā)光光譜窄、發(fā)光波長可調(diào)控、光譜純度高等優(yōu)點，最有希望成為下一代發(fā)光器件的核心部分。量子點發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，簡稱QLED)將量子點作為發(fā)光層的制備材料，在發(fā)光層兩側(cè)的電極之間施加電壓差，使得發(fā)光層發(fā)光，從而得到所需要波長的光。因此，以量子點材料作為發(fā)光層的量子點發(fā)光二極管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)成為了目前新型顯示器件研究的主要方向之一。

發(fā)明內(nèi)容

本公開實施例提供一種發(fā)光二極管器件及其制備方法、顯示面板。該發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)包括：襯底、層疊設(shè)置在襯底上的第一電極層、層疊設(shè)置在第一電極層上的電子傳輸層、層疊設(shè)置在電子傳輸層上的量子點發(fā)光層、層疊設(shè)置在量子點發(fā)光層上的第二電極層，其中電子傳輸層與量子點發(fā)光層接觸的表面為凹凸表面。由此，通過增加電子傳輸層與量子點發(fā)光層的接觸面積，可以改善由于電子注入少而引起的量子點發(fā)光層中載流子注入不平衡的問題，同時改善量子點發(fā)光層激子俄歇(Auger)復(fù)合的問題。

本公開至少一實施例提供一種發(fā)光二極管器件，其包括：襯底；第一電極層，層疊設(shè)置在襯底上；電子傳輸層，層疊設(shè)置在第一電極層遠(yuǎn)離襯底的表面上；量子點發(fā)光層，層疊設(shè)置在電子傳輸層遠(yuǎn)離第一電極層的表面上；以及第二電極層，層疊設(shè)置在量子點發(fā)光層遠(yuǎn)離電子傳輸層的表面上；其中，電子傳輸層遠(yuǎn)離所述第一電極層的表面為包括多個凸起的第一凹凸表面。

例如，在本公開至少一實施例提供的發(fā)光二極管器件中，第一凹凸表面的均方根表面粗糙度的范圍為5納米-10納米。

例如，在本公開至少一實施例提供的發(fā)光二極管器件中，第一凹凸表面所包括多個凸起在垂直于襯底的方向上的高度的范圍為1納米-10納米。

例如，在本公開至少一實施例提供的發(fā)光二極管器件中，第一電極層遠(yuǎn)離襯底的表面為包括多個凸起的第二凹凸表面。

例如，在本公開至少一實施例提供的發(fā)光二極管器件中，第一電極層包括第一子電極層和設(shè)置在第一子電極層上的導(dǎo)電納米顆粒，該導(dǎo)電納米顆粒構(gòu)成第二凹凸表面的多個凸起。

例如，在本公開至少一實施例提供的發(fā)光二極管器件中，第二凹凸表面所包括的多個凸起與第一凹凸表面所包括的多個凸起具有相同的形狀，并且在垂于在襯底的方向上，第二凹凸表面所包括的多個凸起與第一凹凸表面所包括的多個凸起具有相同的高度。

例如，在本公開至少一實施例提供的發(fā)光二極管器件中，電子傳輸層包括摻雜了鎂離子和三價金屬離子的摻雜氧化鋅薄膜。