[發明專利]發光二極管器件及其制備方法、顯示面板有效
| 申請號: | 202010619865.1 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN113871542B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
| 發明(設計)人: | 李東;鮑里斯.克里斯塔爾 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方技術開發有限公司 |
| 主分類號: | H10K50/16 | 分類號: | H10K50/16;H10K50/115;H10K71/00;H10K59/12;H10K59/122 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 劉曉冰 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 器件 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
1.一種發光二極管器件,包括:
襯底;
第一電極層,層疊設置在所述襯底上;
電子傳輸層,層疊設置在所述第一電極層遠離所述襯底的表面上;
量子點發光層,層疊設置在所述電子傳輸層遠離所述第一電極層的表面上;以及
第二電極層,層疊設置在所述量子點發光層遠離所述電子傳輸層的表面上;
其中,所述電子傳輸層遠離所述第一電極層的表面為包括多個凸起的第一凹凸表面。
2.如權利要求1所述的發光二極管器件,其中,所述第一凹凸表面的均方根表面粗糙度的范圍為5納米-10納米。
3.如權利要求2所述的發光二極管器件,其中,所述第一凹凸表面所包括的多個凸起在垂直于所述襯底的方向上的高度的范圍為1納米-10納米。
4.如權利要求1所述的發光二極管器件,其中,所述第一電極層遠離所述襯底的表面為包括多個凸起的第二凹凸表面。
5.如權利要求4所述的發光二極管器件,其中,所述第一電極層包括第一子電極層和設置在所述第一子電極層上的導電納米顆粒,所述導電納米顆粒構成所述第二凹凸表面的所述多個凸起。
6.如權利要求4所述的發光二極管器件,其中,所述第二凹凸表面所包括的多個凸起與所述第一凹凸表面所包括的多個凸起具有相同的形狀,并且在垂于在所述襯底的方向上,所述第二凹凸表面所包括的多個凸起與所述第一凹凸表面所包括的多個凸起具有相同的高度。
7.如權利要求1-6所述的發光二極管器件,其中,所述電子傳輸層包括摻雜了鎂離子和三價金屬離子的摻雜氧化鋅薄膜。
8.如權利要求7所述的發光二極管器件,其中,所述三價金屬離子為鋁離子,并且所述摻雜氧化鋅薄膜中的鎂離子的摻雜質量百分數為0.5%~20%,鋁離子的摻雜質量百分數為0.5%~10%。
9.如權利要求1-6所述的發光二極管器件,其中,所述電子傳輸層包括N+1個子電子傳輸層和N個子電子阻擋層,
所述N個子電子阻擋層分別夾設在所述N+1個子電子傳輸層之間,N為大于等于2的正整數,所述N+1個子電子傳輸層中離所述襯底最遠的子電子傳輸層的遠離所述襯底的表面為所述第一凹凸表面,并且所述N+1個子電子傳輸層的材料相同,所述N個子電子阻擋層與所述N+1個子電子傳輸層的材料不同。
10.一種顯示面板,包括:
襯底基板;和
陣列排布在所述襯底基板上的多個子像素,其中,所述多個子像素中的每個包括如權利要求1-9中任一項所述的發光二極管器件,
所述顯示面板還包括像素限定層,
其中,所述像素限定層設置在所述電子傳輸層遠離所述襯底基板的表面上,所述像素限定層包括多個開口,所述像素限定層至少部分覆蓋電子傳輸層的邊緣,并且所述多個開口分別暴露電子傳輸層的中間部分,所述量子點發光層至少設置在所述多個開口中。
11.一種發光二極管器件的制備方法,包括:
提供襯底;
在所述襯底上形成第一電極層;
在所述第一電極層遠離所述襯底的表面上形成電子傳輸層;
在所述電子傳輸層遠離所述第一電極層的表面上形成量子點發光層;以及
在所述量子點發光層遠離所述電子傳輸層的表面上形成第二電極層,
其中,形成所述電子傳輸層包括:將所述電子傳輸層遠離所述第一電極層的表面形成為包括多個凸起的第一凹凸表面。
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