[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010619423.7
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111725132A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 侯新飛
• 申請（專利權）人: 濟南南知信息科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/29;H01L23/528;H01L21/98;H01L25/065
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 葉宇

本發明提供了一種半導體器件及其制造方法。本發明的半導體器件利用在傾斜的側面形成通孔電連接至芯片的有源區，可以實現短路徑的電連接至襯底基板，且可以實現小型化封裝，節省橫向空間；并且每個芯片均具有覆蓋所述有源面的包封層，其通過熱塑性材料形成，可以做的比較薄，且可以實現多個芯片的熱壓結合，以形成封裝件。

技術領域

本發明涉及半導體器件封裝領域，具體涉及一種半導體器件及其制造方法。

背景技術

對于半導體封裝，多芯片封裝可以實現小型化、多功能化以及低成本化，但是隨著要求的不斷提升，多芯片封裝的薄型化和多功能化都需要進一步提升，如何在現有硅芯片的基礎上實現更小型封裝，是本領域所一直追求目標。US2011/079890A1公開了一種半導體封裝件，其將多個裸芯相互錯開的依次堆疊在襯底基板上，該種布置節省了橫向的一部分空間，但是其錯開式的排布首先帶來電連接的不穩定性，且其橫向上仍需要占用較大空間，不利于實現小型化封裝CN104332462A公開了一種芯片傾斜堆疊的圓片級封裝單元，其將多個芯片傾斜的放置于襯底基板上，并且利用靠近襯底基板的焊盤進行直接電連接，其電連接路徑較短，但是其在橫向空間利用上和封裝的穩固性是較差的。

發明內容

基于解決上述問題，本發明提供了一種半導體器件的制造方法，其包括以下步驟：

(1)提供一晶圓，所述晶圓包括多個半導體裸片，每一個所述半導體裸片均包括在所述晶圓的有源面上的有源區以及在所述有源區周圍的外圍區，所述有源區中具有至少一個焊盤；

(2)在所述有源面上形成布線層，所述布線層從所述有源區延伸至所述外圍區；

(3)采用熱塑性材料形成覆蓋所述有源面的包封層；

(4)沿著所述多個半導體裸芯之間的切割道進行單體化，形成多個分立的半導體芯片；所述半導體芯片包括相對的上表面和下表面以及相對的第一側面和第二側面，其中所述第一側面與所述上表面的夾角為銳角α，所述第二側面與所述上表面的夾角為鈍角β，其中α+β＝180°；

(5)從所述第一側面鉆孔并填充導電材料形成電連接所述布線層的通孔，形成半導體器件。

其中，所述熱塑性材料為EVA熱熔膠、改性環氧樹脂。

其中，30°≤α≤45°。

本發明提供一種半導體器件，其由上述的半導體器件的制造方法形成。

本發明還提供了一種半導體器件封裝體的制造方法，其包括以下步驟：

(1)提供多個半導體器件，所述半導體器件為上述的半導體器件；

(2)將多個半導體器件的所述第一側面依次貼合于一載板上；

(3)利用第一模具和第二模具熱壓多個半導體器件，使得多個半導體器件通過彼此之間的包封層粘合在一起，形成半導體器件封裝體；

其中，多個半導體器件的多個第一側面共面形成第三側面，多個半導體器件的多個第二側面共面形成第四側面。

其中，所述第一模具具有第一斜面，所述第一斜面貼合于最尾端的半導體器件的下表面；所述第二模具具有第二斜面，所述第二斜面貼合于最首端的半導體器件的上表面；并且其中，利用第一模具和第二模具熱壓多個半導體器件具體包括：通過所述第一模具和第二模具分別施加朝向多個半導體器件的力，并進行加熱，使得多個半導體器件通過彼此之間的包封層粘合在一起。

本發明提供了一種半導體器件封裝件，其由上述的半導體器件封裝件的制造方法形成，其還包括由最首端的半導體器件的上表面構成的第一主面以及由最尾端的半導體器件的下表面構成的第二主面。

本發明又提供了一種半導體封裝結構的制造方法，其包括以下步驟：