[發明專利]一種半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202010619423.7
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111725132A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 侯新飛
• 申請（專利權）人: 濟南南知信息科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L23/29;H01L23/528;H01L21/98;H01L25/065
• 代理公司: 北京華際知識產權代理有限公司 11676
• 代理人: 葉宇

1.一種半導體器件的制造方法，其包括以下步驟：

(1)提供一晶圓，所述晶圓包括多個半導體裸片，每一個所述半導體裸片均包括在所述晶圓的有源面上的有源區以及在所述有源區周圍的外圍區，所述有源區中具有至少一個焊盤；

(2)在所述有源面上形成布線層，所述布線層從所述有源區延伸至所述外圍區；

(3)采用熱塑性材料形成覆蓋所述有源面的包封層；

(4)沿著所述多個半導體裸芯之間的切割道進行單體化，形成多個分立的半導體芯片；所述半導體芯片包括相對的上表面和下表面以及相對的第一側面和第二側面，其中所述第一側面與所述上表面的夾角為銳角α，所述第二側面與所述上表面的夾角為鈍角β，其中α+β＝180°；

(5)從所述第一側面鉆孔并填充導電材料形成電連接所述布線層的通孔，形成半導體器件。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：其中，所述熱塑性材料為EVA熱熔膠、改性環氧樹脂。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于：其中，30°≤α≤45°。

4.一種半導體器件，其由權利要求1-3任一項所述的半導體器件的制造方法形成。

5.一種半導體器件封裝體的制造方法，其包括以下步驟：

(1)提供多個半導體器件，所述半導體器件為權利要求4所述的半導體器件；

(2)將多個半導體器件的所述第一側面依次貼合于一載板上；

(3)利用第一模具和第二模具熱壓多個半導體器件，使得多個半導體器件通過彼此之間的包封層粘合在一起，形成半導體器件封裝體；

其中，多個半導體器件的多個第一側面共面形成第三側面，多個半導體器件的多個第二側面共面形成第四側面。

6.根據權利要求1所述的半導體器件封裝體的制造方法，其特征在于：所述第一模具具有第一斜面，所述第一斜面貼合于最尾端的半導體器件的下表面；所述第二模具具有第二斜面，所述第二斜面貼合于最首端的半導體器件的上表面；并且其中，利用第一模具和第二模具熱壓多個半導體器件具體包括：通過所述第一模具和第二模具分別施加朝向多個半導體器件的力，并進行加熱，使得多個半導體器件通過彼此之間的包封層粘合在一起。

7.一種半導體器件封裝件，其由權利要求5或6所述的半導體器件封裝件的制造方法形成，其還包括由最首端的半導體器件的上表面構成的第一主面以及由最尾端的半導體器件的下表面構成的第二主面。

8.一種半導體封裝結構的制造方法，其包括以下步驟：

(1)提供多個半導體器件封裝體，所述半導體器件封裝體為權利要求7所述的半導體器件封裝體；

(2)將所述第三側面相對封裝基板的方式焊接多個半導體封裝體，多個半導體封裝體之間通過包封層粘合；

(3)利用底部填充劑填充所述第三側面與所述封裝基板之間的空隙，所述底部填充劑還至少填充最尾端的半導體封裝體的第二主面與封裝基板之間。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于：所述多個半導體器件封裝體包括第一半導體器件封裝體和第二半導體器件封裝體，所述第一半導體器件封裝體和第二半導體器件封裝體大小相同。

10.根據權利要求8所述的半導體器件，其特征在于：所述多個半導體器件封裝體包括第三半導體器件封裝體和第四半導體器件封裝體，所述第三半導體器件封裝體和第四半導體器件封裝體大小不同。