[發(fā)明專利]晶圓擴片方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010619237.3 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111739842B | 公開(公告)日: | 2022-11-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王海升;詹新明;曾斌 | 申請(專利權(quán))人: | 青島歌爾微電子研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/78 | 分類號: | H01L21/78;H01L21/683 |
| 代理公司: | 深圳市世紀(jì)恒程知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287 | 代理人: | 關(guān)向蘭 |
| 地址: | 266104 山東省*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓擴片 方法 | ||
1.一種晶圓擴片方法,其特征在于,所述晶圓擴片方法包括如下步驟:
提供一晶圓模組,所述晶圓模組包括晶圓、貼膜和安裝環(huán),所述貼膜的外周粘接于所述安裝環(huán)上,所述晶圓的背面粘接在所述貼膜上,所述晶圓具有多個芯片;
對所述晶圓進行切割,以使任意相鄰的兩個所述芯片之間具有切縫;
提供一工裝,設(shè)置于所述晶圓模組的下方;
驅(qū)動所述工裝上升頂起并撐開所述貼膜,以對所述貼膜進行擴片處理,以使所述切縫斷開后分離所述貼膜上的各芯片;
所述工裝包括頂撐環(huán)和頂撐凸起,所述頂撐凸起自所述頂撐環(huán)向上凸起;
所述驅(qū)動所述工裝上升頂起并撐開所述貼膜,以對所述貼膜進行擴片處理,以使所述切縫斷開后分離所述貼膜上的各芯片的步驟包括:
驅(qū)動所述工裝上升,所述頂撐環(huán)抵接所述安裝環(huán),所述頂撐凸起向上頂起并撐開所述貼膜。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓擴片方法,其特征在于,所述頂撐環(huán)與所述安裝環(huán)的形狀匹配,所述頂撐凸起呈環(huán)狀,并環(huán)設(shè)于所述頂撐環(huán)的內(nèi)壁;
所述驅(qū)動所述工裝上升,所述頂撐環(huán)抵接所述安裝環(huán),所述頂撐凸起向上頂起并撐開所述貼膜的步驟包括:
驅(qū)動所述工裝以預(yù)設(shè)速度上升,所述頂撐環(huán)抵緊所述安裝環(huán)并與所述安裝環(huán)層疊設(shè)置,所述頂撐凸起伸入所述安裝環(huán)內(nèi),且向上頂起并撐開所述貼膜;其中,所述預(yù)設(shè)速度為2~20mm/s。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓擴片方法,其特征在于,在所述驅(qū)動所述工裝上升頂起并撐開所述貼膜,以對所述貼膜進行擴片處理,以使所述切縫斷開后分離所述貼膜上的各芯片的步驟之前,還包括:
提供一固定設(shè)備,所述固定設(shè)備將所述晶圓模組固定。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓擴片方法,其特征在于,所述固定設(shè)備包括吸嘴和與所述吸嘴連通的抽真空件;
所述提供一固定設(shè)備,所述固定設(shè)備將所述晶圓模組固定的步驟包括:
通過所述抽真空件對所述吸嘴進行抽真空處理,使所述安裝環(huán)吸附于所述吸嘴下方,以將所述晶圓模組固定。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓擴片方法,其特征在于,所述吸嘴為彈性吸嘴。
6.如權(quán)利要求3所述的晶圓擴片方法,其特征在于,所述固定設(shè)備還包括彈性定位銷,所述安裝環(huán)對應(yīng)所述彈性定位銷的位置開設(shè)有第一定位缺口,所述頂撐環(huán)對應(yīng)所述彈性定位銷的位置開設(shè)有第二定位缺口;
所述提供一固定設(shè)備,所述固定設(shè)備將所述晶圓模組固定的步驟,還包括:
所述彈性定位銷與所述第一定位缺口配合,以將所述安裝環(huán)定位;
所述驅(qū)動所述工裝上升,所述頂撐環(huán)抵接所述安裝環(huán),所述頂撐凸起向上頂起并撐開所述貼膜的步驟還包括:
所述彈性定位銷與所述第二定位缺口配合,以將所述頂撐環(huán)定位。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓擴片方法,其特征在于,所述工裝還包括固定件;
在所述驅(qū)動所述工裝上升,所述頂撐環(huán)抵接所述安裝環(huán),所述頂撐凸起向上頂起并撐開所述貼膜的步驟之后,還包括:
采用所述固定件將所述安裝環(huán)和所述頂撐環(huán)固定。
8.如權(quán)利要求7所述的晶圓擴片方法,其特征在于,
所述固定件為卡扣,所述卡扣包括兩個卡接塊和連接在兩個所述卡接塊之間的連接塊,所述連接塊與兩個所述卡接塊之間形成U形卡槽;
所述采用所述固定件將所述安裝環(huán)和所述頂撐環(huán)固定的步驟包括:
將所述安裝環(huán)和頂撐環(huán)卡接在所述U形卡槽內(nèi),以使兩個所述卡接塊配合將所述安裝環(huán)和所述頂撐環(huán)卡緊;
或者,
所述固定件為旋轉(zhuǎn)固定塊,所述旋轉(zhuǎn)固定塊包括夾塊和連接在所述夾塊一端的轉(zhuǎn)動塊,所述轉(zhuǎn)動塊通過轉(zhuǎn)軸可轉(zhuǎn)動安裝在所述頂撐環(huán)上;
所述采用所述固定件將所述安裝環(huán)和頂撐環(huán)固定的步驟包括:
轉(zhuǎn)動所述轉(zhuǎn)動塊,并帶動所述夾塊轉(zhuǎn)動在所述安裝環(huán)的上方,并與所述轉(zhuǎn)軸配合將所述安裝環(huán)和所述頂撐環(huán)夾緊。
9.如權(quán)利要求8所述的晶圓擴片方法,其特征在于,所述固定件的數(shù)量為多個;
所述采用所述固定件將所述安裝環(huán)和頂撐環(huán)固定的步驟還包括:
將多個所述固定件沿所述安裝環(huán)及所述頂撐環(huán)的外周間隔布置,以使多個所述固定件在多個方向共同將所述安裝環(huán)和所述頂撐環(huán)固定。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





