[發明專利]顯示基板及其制備方法、曝光對位方法

有效

• 申請號: 202010618823.6
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111736427B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 周毅;張立震;徐勝;何偉;吳慧利;趙雪飛;賀芳;李士佩;顧仁權;黎午升
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F9/00;G09F9/30
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

1.一種顯示基板，其特征在于，包括襯底、設置在所述襯底上的鈍化層以及設置在所述鈍化層上的低反射膜層，所述鈍化層上設置有對位標記，所述低反射膜層覆蓋所述對位標記，用于形成所述低反射膜層的晶體薄膜能夠被曝光機發出的曝光光線穿過，穿過所述晶體薄膜的曝光光線與所述對位標記進行曝光對位，所述低反射膜層被配置為吸收光線，所述低反射膜層包括設置于所述襯底之上的晶體基底以及形成于所述晶體基底上的多個棱錐微結構，所述棱錐微結構的外表面形成有多個微孔，所述微孔在所述棱錐微結構的外表面呈螺旋形排布。

2.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述多個棱錐微結構的高度不同。

3.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，所述低反射膜層采用多晶硅材料。

4.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括設置于所述襯底之上的發光驅動電路，所述發光驅動電路位于所述襯底與所述鈍化層之間。

5.根據權利要求4所述的顯示基板，其特征在于，還包括設置于所述低反射膜層之上的導電膜層，所述低反射膜層中設置有與所述發光驅動電路連通的過孔，所述導電膜層通過所述過孔與所述發光驅動電路連接。

6.根據權利要求1所述的顯示基板，其特征在于，還包括設置于所述襯底之上的擋墻，所述擋墻圍繞所述低反射膜層的四周。

7.一種權利要求1至3任一所述顯示基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成鈍化層，在所述鈍化層上形成對位標記；

在所述鈍化層上沉積晶體薄膜，使所述晶體薄膜覆蓋所述對位標記；所述晶體薄膜能夠被曝光機發出的曝光光線穿過，穿過所述晶體薄膜的曝光光線與所述對位標記進行曝光對位；

對所述晶體薄膜進行腐蝕，使所述晶體薄膜形成晶體基底以及形成于所述晶體基底上的多個棱錐微結構；

在所述棱錐微結構上形成多個金屬粒子；

通過刻蝕工藝，使所述金屬粒子嵌入所述棱錐微結構中；

將所述棱錐微結構上的金屬粒子去除，使所述棱錐微結構的外表面上形成多個微孔，所述微孔在所述棱錐微結構的外表面呈螺旋形排布，所述晶體基底和所述棱錐微結構形成低反射膜層，所述低反射膜層被配置為吸收光線。

8.根據權利要求7所述的顯示基板的制備方法，其特征在于，在所述棱錐微結構上形成多個金屬粒子，包括：

在所述棱錐微結構上沉積金屬薄膜；

對所述金屬薄膜進行退火工藝，使所述金屬薄膜在所述棱錐微結構上形成多個金屬粒子。

9.一種權利要求1至3任一所述顯示基板的曝光對位方法，其特征在于，包括：

在襯底上沉積鈍化層；

在所述鈍化層上形成對位標記；

在所述鈍化層上沉積覆蓋所述對位標記的晶體薄膜；

所述晶體薄膜能夠被曝光機發出的曝光光線穿過，穿過所述晶體薄膜的曝光光線與所述對位標記進行曝光對位；

對所述晶體薄膜進行腐蝕，使所述晶體薄膜形成晶體基底以及形成于所述晶體基底上的多個棱錐微結構；

在所述棱錐微結構上形成多個金屬粒子；

通過刻蝕工藝，使所述金屬粒子嵌入所述棱錐微結構中；

將所述棱錐微結構上的金屬粒子去除，使所述棱錐微結構上形成多個微孔，所述微孔在所述棱錐微結構的外表面呈螺旋形排布，所述晶體基底和所述棱錐微結構形成低反射膜層，所述低反射膜層被配置為吸收光線。