[發(fā)明專(zhuān)利]IGBT晶圓的減薄方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010618537.X
• 申請(qǐng)日: 2020-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111900083B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郁新舉;葉斐;朱偉杰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/304
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/304;H01L21/683;H01L21/331;B24B7/22;B24B37/04
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種IGBT晶圓的減薄方法，包括：在集成有IGBT器件的晶圓的正面貼附第一薄膜；對(duì)晶圓進(jìn)行減薄，使晶圓的厚度減薄至第一目標(biāo)厚度；去除第一薄膜，在晶圓的正面貼附第二薄膜；對(duì)第二薄膜進(jìn)行減薄；對(duì)晶圓進(jìn)行減薄，使晶圓的厚度減薄至第二目標(biāo)厚度；去除第二薄膜。本申請(qǐng)通過(guò)在對(duì)IGBT晶圓進(jìn)行制造的過(guò)程中，在對(duì)晶圓的背面研磨至所需求的厚度之前，依次對(duì)晶圓的背面和貼附在晶圓正面的薄膜進(jìn)行減薄，從而降低了在晶圓研磨過(guò)程中晶圓的厚度和薄膜的厚度對(duì)減薄工藝的影響，從而提高了減薄后的晶圓的厚度的一致性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgate bipolar transistor，IGBT)晶圓的減薄方法。

背景技術(shù)

IGBT器件是由雙極型晶體管(bipolar junction transistor，BJT)器件和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET)器件組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，其兼有MOSFET器件的高輸入阻抗和電力晶體管(giant transistor，GTR)器件的低導(dǎo)通壓的優(yōu)點(diǎn)，其廣泛應(yīng)用于直流電壓為600伏特(V)及以上的變流系統(tǒng)(例如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等)等領(lǐng)域中。

相關(guān)技術(shù)中，在對(duì)集成有IGBT器件的晶圓進(jìn)行減薄的工序中，為了降低正面圖形對(duì)背面減薄過(guò)程中的應(yīng)力對(duì)減薄工藝的影響，通常會(huì)在晶圓的正面貼附薄膜。通常，對(duì)集成有IGBT器件的晶圓的減薄過(guò)程為：在晶圓的正面貼附薄膜；對(duì)晶圓的背面進(jìn)行減薄；去除薄膜。

然而，通過(guò)相關(guān)技術(shù)提供的減薄方法減薄后的IGBT晶圓的厚度的一致性較差。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环NIGBT晶圓的減薄方法，可以解決相關(guān)技術(shù)中提供的IGBT晶圓的減薄方法所導(dǎo)致的厚度一致性較差的問(wèn)題。

一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種IGBT晶圓的減薄方法，包括：

在集成有IGBT器件的晶圓的正面貼附第一薄膜，所述正面是所述晶圓形成所述IGBT器件的圖形的表面；

對(duì)所述晶圓進(jìn)行減薄，使所述晶圓的厚度減薄至第一目標(biāo)厚度；

去除所述第一薄膜，在所述晶圓的正面貼附第二薄膜；

對(duì)所述第二薄膜進(jìn)行減薄；

對(duì)所述晶圓進(jìn)行減薄，使所述晶圓的厚度減薄至第二目標(biāo)厚度；

去除所述第二薄膜。

可選的，所述第一薄膜和所述第二薄膜為藍(lán)膜。

可選的，所述第一目標(biāo)厚度為400微米(μm)至700微米。

可選的，所述對(duì)所述第二薄膜進(jìn)行減薄后，所述第二薄膜和所述晶圓的厚度之和為400微米至800微米。

可選的，所述第二目標(biāo)厚度為40微米至400微米。

可選的，所述對(duì)所述晶圓進(jìn)行減薄，包括：

通過(guò)背部研磨(back grinding，BG)工藝對(duì)所述晶圓研磨，對(duì)所述晶圓進(jìn)行減薄。

可選的，所述對(duì)所述第二薄膜進(jìn)行減薄，包括：

通過(guò)金剛石磨盤(pán)對(duì)所述第二薄膜的表面進(jìn)行刮除減薄。

本申請(qǐng)技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點(diǎn)：

通過(guò)在對(duì)集成有IGBT器件的晶圓進(jìn)行制造的過(guò)程中，在對(duì)晶圓的背面研磨至所需求的厚度之前，依次對(duì)晶圓的背面和貼附在晶圓正面的薄膜進(jìn)行減薄，從而降低了在晶圓研磨過(guò)程中晶圓的厚度和薄膜的厚度對(duì)減薄工藝的影響，從而提高了減薄后的晶圓的厚度的一致性。