[發明專利]IGBT晶圓的減薄方法

有效

• 申請號: 202010618537.X
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN111900083B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 郁新舉;葉斐;朱偉杰
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/683;H01L21/331;B24B7/22;B24B37/04
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種IGBT晶圓的減薄方法，其特征在于，包括：

在集成有IGBT器件的晶圓的正面貼附第一薄膜，所述正面是所述晶圓形成所述IGBT器件的圖形的表面；

對所述晶圓進行減薄，使所述晶圓的厚度減薄至第一目標厚度，所述第一目標厚度為400微米至700微米；

去除所述第一薄膜，在所述晶圓的正面貼附第二薄膜；

對所述第二薄膜進行減薄，對所述第二薄膜進行減薄后，所述第二薄膜和所述晶圓的厚度之和為400微米至800微米；

對所述晶圓進行減薄，使所述晶圓的厚度減薄至第二目標厚度，所述第二目標厚度為40微米至400微米；

去除所述第二薄膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一薄膜和所述第二薄膜為藍膜。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對所述晶圓進行減薄，包括：

通過BG工藝對所述晶圓研磨，對所述晶圓進行減薄。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述對所述第二薄膜進行減薄，包括：

通過金剛石磨盤對所述第二薄膜的表面進行刮除減薄。