[發明專利]通過Ge凝結進行的硅鍺FinFET形成

在審

• 申請號: 202010618057.3
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN111725069A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: J·J·徐;V·馬赫卡奧特桑;K·利姆;S·S·宋;C·F·耶普
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 亓云

本申請涉及通過Ge凝結進行的硅鍺FinFET形成。形成FinFET器件的半導體鰭的方法包括在半導體鰭上共形沉積硅鍺(SiGe)非晶或多晶薄膜。該方法還包括氧化該非晶或多晶薄膜，以將鍺從該非晶或多晶薄膜擴散到該半導體鰭中。此類方法進一步包括去除非晶或多晶薄膜的氧化部分。

本申請是申請日為2014年12月16日的題為“通過Ge凝結進行的硅鍺FinFET形成”的中國發明專利申請201480071666.4的分案申請。

相關申請的交叉引用

本公開要求于2014年1月3日提交的題為“SILICON GERMANIUMFINFET FORMATIONBY GE CONDENSATION(通過Ge凝結進行的硅鍺FinFET形成)”的美國臨時專利申請No.61/923,489的權益，其公開內容通過援引全部明確納入于此。

技術領域

本公開的各方面涉及半導體器件，并且更具體地涉及硅鍺(SiGe)在鰭式場效應晶體管(FinFET)中的使用。

背景技術

硅鍺(SiGe)已被廣泛地評價為用于p溝道金屬氧化物半導體(PMOS)器件的有前景的材料。SiGe具有比硅固有地高的空穴遷移率。在標準的場效應晶體管(FET)幾何結構中，在半導體芯片區域(諸如FET的源極區和漏極區)中賦予應變是常見的。然而在鰭式場效應晶體管(FinFET)結構中，可用于應變工程的鰭的體積較小。由于諸如在十(10)納米的器件設計中的鰭幾何結構減小，所以SiGe鰭的制造變得昂貴且難以實現。

發明內容

形成FinFET器件的半導體鰭的方法可包括在半導體鰭上共形沉積硅鍺(SiGe)非晶或多晶薄膜。該方法還包括氧化該非晶或多晶薄膜，以將鍺從該非晶或多晶薄膜擴散到半導體鰭中。此類方法進一步包括去除非晶或多晶薄膜的氧化部分。

一種基板上的鰭式場效應晶體管(FinFET)器件包括半導體鰭。該半導體鰭可包括共形沉積的非晶或多晶硅鍺(SiGe)薄膜。來自非晶或多晶硅鍺(SiGe)薄膜的鍺可被擴散到半導體鰭中。

一種基板上的FinFET器件包括用于傳導電流的裝置。該電流傳導裝置可包括共形沉積的非晶或多晶硅鍺(SiGe)薄膜。來自非晶或多晶硅鍺(SiGe)薄膜的鍺可被擴散到半導體鰭中。

這已較寬泛地勾勒出本公開的特征和技術優勢以便下面的詳細描述可以被更好地理解。本公開的附加特征和優點將在下文描述。本領域技術人員應該領會，本公開可容易地被用作修改或設計用于實施與本公開相同的目的的其他結構的基礎。本領域技術人員還應認識到，這樣的等效構造并不脫離所附權利要求中所闡述的本公開的教導。被認為是本公開的特性的新穎特征在其組織和操作方法兩方面連同進一步的目的和優點在結合附圖來考慮以下描述時將被更好地理解。然而，要清楚理解的是，提供每一幅附圖均僅用于解說和描述目的，且無意作為對本公開的限定的定義。

附圖說明

為了更全面地理解本公開，現在結合附圖參閱以下描述。

圖1A-1D解說FinFET半導體器件的側視圖。

圖2到6解說FinFET半導體器件的側視圖。

圖7解說根據本公開的一個方面的FinFET半導體器件的鰭結構的側視圖。

圖8解說根據本公開的一個方面的圖7的FinFET半導體器件的鰭結構的側視圖。

圖9解說根據本公開的一個方面的圖8的FinFET半導體器件的鰭結構的側視圖。

圖10和11解說根據本公開的另一方面的FinFET半導體器件的鰭結構的側視圖。

圖12A-12E解說根據本公開的進一步方面的FinFET半導體器件的鰭結構的側視圖。