[發明專利]通過Ge凝結進行的硅鍺FinFET形成

在審

• 申請號: 202010618057.3
• 申請日: 2014-12-16
• 公開（公告）號: CN111725069A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: J·J·徐;V·馬赫卡奧特桑;K·利姆;S·S·宋;C·F·耶普
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 亓云

1.一種形成FinFET器件的半導體鰭的方法，包括：

在所述半導體鰭上共形沉積硅鍺(SiGe)非晶或多晶薄膜；

氧化所述非晶或多晶薄膜，以將鍺從所述非晶或多晶薄膜擴散到所述半導體鰭中；以及

去除所述非晶或多晶薄膜的氧化部分。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體鰭中的壓縮應變大于支持所述半導體鰭的基板中的壓縮應變。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述半導體鰭具有基本上與所述基板的表面相同的晶向。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，氧化所述非晶或多晶薄膜之前的所述半導體鰭的所述晶向和氧化所述非晶或多晶薄膜之后的所述半導體鰭的晶向相同。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體鰭是基本上單一的晶體。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述共形沉積包括多個不同材料的表面上的非選擇性沉積。

7.如權利要求6所述的方法，進一步包括蝕刻所述薄膜以在所述半導體鰭上提供SiGe分隔件。

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述蝕刻是各向異性的。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述共形沉積包括所述半導體鰭的表面上的選擇性沉積。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體鰭包括硅鍺或硅。

11.如權利要求1所述的方法，進一步包括將鍺擴散到支持所述半導體鰭的基板的表面中以提供所述半導體鰭和所述基板之間的界面。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述FinFET器件被集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、計算機、手持式個人通信系統(PCS)單元、便攜式數據單元、和/或位置固定的數據單元中。

13.一種基板上的鰭式場效應晶體管(FinFET)器件，包括：

半導體鰭，包括共形沉積的非晶或多晶硅鍺(SiGe)薄膜，其中來自所述非晶或多晶薄膜的鍺被擴散到所述半導體鰭中。

14.如權利要求13所述的FinFET器件，其特征在于，所述半導體鰭中的壓縮應變大于支持所述半導體鰭的所述基板中的壓縮應變。

15.如權利要求14所述的FinFET器件，其特征在于，所述半導體鰭具有基本上與所述基板的表面相同的晶向。

16.如權利要求15所述的FinFET器件，其特征在于，氧化所述非晶或多晶薄膜之前的所述半導體鰭的所述晶向和氧化所述非晶或多晶薄膜之后的所述半導體鰭的晶向相同。

17.如權利要求13所述的FinFET器件，其特征在于，所述半導體鰭是基本上單一的晶體。

18.如權利要求13所述的FinFET器件，特征在于，所述半導體鰭的SiGe部分延伸自所述基板的淺溝槽隔離區，并且所述半導體鰭的硅部分延伸通過所述基板的所述淺溝槽隔離區。

19.如權利要求13的所述FinFET器件，其特征在于，所述基板的表面包括經擴散鍺的部分以提供所述半導體鰭和所述基板之間的界面。

20.如權利要求13所述的FinFET器件，其特征在于，所述半導體鰭包括硅鍺或硅。