[發明專利]液體汽化器

在審

• 申請號: 202010616509.4
• 申請日: 2020-07-01
• 公開（公告）號: CN112176317A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: J·L·溫科
• 申請（專利權）人: ASMIP控股有限公司
• 主分類號: C23C16/448
• 分類號: C23C16/448;C23C16/455
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 袁策

本發明公開了一種半導體處理裝置。所述半導體裝置包括反應器和被構造成向所述反應器提供反應物蒸汽的汽化器。所述裝置可包括在所述汽化器與所述反應器之間的過程控制室。所述裝置可包括控制系統，所述控制系統被配置成至少部分地基于所測量的所述過程控制室中的壓力的反饋來調節所述過程控制室中的壓力。

背景

技術領域

技術領域涉及液體汽化器，例如，用于半導體處理裝置的液體汽化器。

背景技術

在半導體處理期間，各種反應物蒸汽被饋送到反應室中。在一些應用中，反應物蒸汽以氣態形式儲存在反應物源容器中。在此類應用中，反應物蒸汽在環境壓力和溫度下通常是氣態的。然而，在一些情況下，使用在環境壓力和溫度下為液體或固體的源化學品的蒸汽。這些物質可被加熱以產生用于反應過程(例如氣相沉積)的足夠量的蒸汽。取決于配置，用于半導體行業的化學氣相沉積(CVD)可能需要反應物蒸汽的連續流，而原子層沉積(ALD)可能需要連續流或脈動供應。在這兩種情況下，可能重要的是，準確地知道每單位時間或每個脈沖供應的反應物的數量，以便控制劑量和對過程的影響。

對于一些固體和液體物質，室溫下的蒸汽壓力如此低，以至于必須將它們加熱以產生足夠量的反應物蒸汽和/或維持在極低的壓力下。一旦汽化，重要的是，氣相反應物通過處理系統保持蒸汽形式，以防止在反應室中，以及在閥、過濾器、導管和與將氣相反應物遞送到反應室相關聯的其它部件中的不期望的冷凝。來自此類固體或液體物質的氣相反應物還可用于半導體行業的其它類型的化學反應(例如，蝕刻、摻雜等)和用于各種其它行業，但例如在CVD或ALD中對所采用的金屬和半導體前體特別關注。然而，仍然存在對改善反應物蒸汽的形成和向反應器遞送反應物蒸汽的持續需要。

發明內容

在一個實施例中，公開了一種半導體處理裝置。所述裝置可包括反應器和被構造成向所述反應器提供反應物蒸汽的汽化器。所述裝置可包括在所述汽化器與所述反應器之間的過程控制室。所述裝置可包括控制系統，所述控制系統被配置成至少部分地基于所測量的所述過程控制室中的壓力的反饋來調節所述過程控制室中的壓力。

在另一個實施例中，公開了一種用于形成汽化反應物的裝置。所述裝置可包括被構造成將反應物源汽化成反應物蒸汽的汽化器，所述汽化器設置在處于第一溫度的第一熱區中。所述裝置可包括在所述汽化器下游的過程控制室，所述過程控制室設置在處于第二溫度的第二熱區中，所述第二溫度高于所述第一溫度。所述裝置可包括控制系統，所述控制系統配置成在第一溫度下將所述汽化器中的第一壓力維持在所述反應物蒸汽的露點壓力或所述反應物蒸汽的露點壓力以下。所述控制系統可被配置成至少部分地基于所測量的所述過程控制室中的壓力的反饋來調節所述過程控制室中的壓力。

在另一個實施例中，公開了一種形成汽化反應物的方法。所述方法可包括將反應物源供應到汽化器，所述汽化器設置在處于第一溫度的第一熱區中。所述方法可包括使所述反應物源汽化以形成反應物蒸汽。所述方法可包括在所述第一溫度下，將所述汽化器中的壓力維持在所述反應物蒸汽的總蒸汽壓力或所述反應物蒸汽的總蒸汽壓力以下。所述方法可包括將所述反應物蒸汽傳遞到過程控制室，所述過程控制室設置在處于第二溫度的第二熱區中，所述第二溫度大于所述第一溫度。所述方法可包括至少部分地基于所測量的所述過程控制室中的壓力的反饋來調節所述過程控制室中的壓力。

在另一個實施例中，公開了一種用于形成汽化反應物的裝置。所述裝置可包括被構造成從液體反應物形成反應物蒸汽的汽化器。所述裝置可包括在所述汽化器下游的過程控制室。所述裝置可包括控制系統，所述控制系統被配置成至少部分地基于所測量的所述過程控制室中的壓力的反饋來調節所述過程控制室中的壓力。

附圖說明

現將參考若干實施例的圖式描述本發明的這些和其它特征、方面和優點，所述實施例旨在說明且不限制本發明。

圖1是根據各種實施例的半導體處理裝置的示意性系統圖。