[發明專利]液體汽化器在審
| 申請號: | 202010616509.4 | 申請日: | 2020-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN112176317A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | J·L·溫科 | 申請(專利權)人: | ASMIP控股有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/448 | 分類號: | C23C16/448;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 袁策 |
| 地址: | 荷蘭,*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液體 汽化器 | ||
1.一種半導體處理裝置,包括:
反應器;
汽化器,所述汽化器被構造成向所述反應器提供反應物蒸汽;
過程控制室,所述過程控制室在所述汽化器與所述反應器之間;
控制系統,所述控制系統被配置成至少部分地基于所測量的所述過程控制室中的壓力的反饋來調節所述過程控制室中的壓力。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述控制系統被配置成將所述汽化器中的壓力維持在所述反應物蒸汽的露點壓力或所述反應物蒸汽的露點壓力以下。
3.根據權利要求2所述的裝置,還包括與所述汽化器流體連通的第一壓力換能器,其中,所述控制系統包括處理電子器件,所述處理電子器件被配置成至少部分地基于來自由所述第一壓力換能器獲得的一個或多個壓力測量的反饋來維持所述汽化器中的壓力。
4.根據權利要求3所述的裝置,還包括在所述汽化器上游并且與所述第一壓力換能器電連通的第一閥,所述第一閥被構造成調節所述汽化器中的壓力。
5.根據權利要求2所述的裝置,其中,所述反應物蒸汽包括汽化溶劑。
6.根據權利要求1所述的裝置,還包括與所述過程控制室流體連通的第二壓力換能器,其中,所述控制系統包括處理電子器件,所述處理電子器件被配置成調節所述過程控制室中的壓力,并且將所述過程控制室中的壓力維持在所述反應物蒸汽的露點壓力或所述反應物蒸汽的露點壓力以下。
7.根據權利要求6所述的裝置,其中,所述控制系統被配置成至少部分地基于來自由所述第二壓力換能器獲得的一個或多個壓力測量的反饋來調節所述過程控制室中的壓力。
8.根據權利要求7所述的裝置,還包括在所述過程控制室上游的第二閥,所述第二閥被構造成調節所述過程控制室中的壓力。
9.根據權利要求1所述的裝置,還包括在所述第二閥上游的過濾器。
10.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述汽化器設置在處于第一溫度的第一熱區中,并且所述過程控制室設置在處于第二溫度的第二熱區中,所述第二溫度大于所述第一溫度。
11.根據權利要求1所述的裝置,還包括在所述過程控制室與所述反應器之間的第三閥,所述第三閥被構造成調節所述反應物蒸汽向所述反應器的流動。
12.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述汽化器不連接到非活性氣體供應管線。
13.根據權利要求1所述的裝置,還包括將液體反應物輸送到所述汽化器的液體反應物源。
14.根據權利要求13所述的裝置,還包括在所述汽化器上游的霧化器。
15.根據權利要求14所述的裝置,還包括液體質量流量控制器(MFC)以對所述液體反應物向所述汽化器的流動進行計量。
16.一種用于形成汽化反應物的裝置,所述裝置包括:
汽化器,所述汽化器被構造成將反應物源汽化成反應物蒸汽,所述汽化器設置在處于第一溫度的第一熱區中;
在所述汽化器下游的過程控制室,所述過程控制室設置在處于第二溫度的第二熱區中,所述第二溫度高于所述第一溫度;
控制系統,所述控制系統被配置成:
在所述第一溫度下將所述汽化器中的第一壓力維持在所述反應物蒸汽的露點壓力或所述反應物蒸汽的露點壓力以下;
至少部分地基于所測量的所述過程控制室中的壓力的反饋來調節所述過程控制室中的壓力。
17.根據權利要求16所述的裝置,還包括在所述過程控制室下游的反應器。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





