[發(fā)明專(zhuān)利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010615083.0
• 申請(qǐng)日: 2020-06-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111710685B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝鋒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廈門(mén)天馬微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/12
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 王文

本發(fā)明公開(kāi)了一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。顯示面板包括：襯底；驅(qū)動(dòng)陣列層，驅(qū)動(dòng)陣列層包括硅晶體管以及氧化物晶體管，硅晶體管包括硅有源層以及第一柵極，氧化物晶體管包括氧化物有源層以及第二柵極，其中，硅有源層與氧化物有源層同層設(shè)置；驅(qū)動(dòng)陣列層還包括氮化硅柵絕緣層和第一氧化硅柵絕緣層，氮化硅柵絕緣層、第一氧化硅柵絕緣層中的至少一者位于硅有源層背離襯底的表面，氮化硅柵絕緣層包括第一開(kāi)口，第一開(kāi)口在襯底上的正投影覆蓋氧化物有源層在襯底上的正投影，第一氧化硅柵絕緣層還位于氧化物有源層背離襯底的表面。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板，降低包含兩種半導(dǎo)體材料晶體管的顯示面板的制作難度。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體涉及一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置作為平面顯示裝置，因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。

OLED顯示裝置通常采用主動(dòng)矩陣(Active matrix，AM)的驅(qū)動(dòng)方式，即OLED顯示裝置的陣列基板上包括陣列排布的多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元，每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元用于驅(qū)動(dòng)對(duì)應(yīng)一個(gè)發(fā)光元件發(fā)光。其中，每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元包括至少兩個(gè)晶體管。例如，每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元可以同時(shí)包括硅晶體管和氧化物晶體管，使得像素驅(qū)動(dòng)單元能夠融合硅晶體管的驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)和氧化物晶體管的功耗低的優(yōu)點(diǎn)。

然而，現(xiàn)有技術(shù)在制作同時(shí)包含硅晶體管和氧化物晶體管的陣列基板時(shí)的工藝，通常是在原本完成硅晶體管制作的基礎(chǔ)上，新增用于制作氧化物晶體管的膜層，使得整體膜層厚度更大。在自層間介質(zhì)層表面形成連接至的硅晶體管有源層的過(guò)孔時(shí)，該過(guò)孔的深度較大，使得工藝難度較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置，降低在制作同時(shí)包含硅晶體管和氧化物晶體管的顯示面板時(shí)的工藝難度。

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板，其包括：襯底；驅(qū)動(dòng)陣列層，位于襯底上，驅(qū)動(dòng)陣列層包括多個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元，每個(gè)像素驅(qū)動(dòng)單元包括硅晶體管以及氧化物晶體管，硅晶體管包括硅有源層以及位于硅有源層背離襯底側(cè)的第一柵極，氧化物晶體管包括氧化物有源層以及位于氧化物有源層背離襯底側(cè)的第二柵極，其中，硅有源層與氧化物有源層同層設(shè)置；驅(qū)動(dòng)陣列層還包括氮化硅柵絕緣層和第一氧化硅柵絕緣層，氮化硅柵絕緣層、第一氧化硅柵絕緣層中的至少一者位于硅有源層背離襯底的表面，以將第一柵極與硅有源層絕緣間隔，氮化硅柵絕緣層包括至少一個(gè)第一開(kāi)口，每個(gè)第一開(kāi)口在襯底上的第一正投影，覆蓋對(duì)應(yīng)一個(gè)氧化物晶體管的氧化物有源層在襯底上的第二正投影，且第一正投影的邊緣與第二正投影的邊緣之間最小距離大于0，第一氧化硅柵絕緣層還位于氧化物有源層背離襯底的表面，以將第二柵極與氧化物有源層絕緣間隔。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括根據(jù)前述任一實(shí)施方式的顯示面板。

第三方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示面板的制作方法，其包括：在襯底上形成硅晶體管的硅有源層；形成覆蓋硅有源層的氮化硅柵絕緣層；氫化及活化硅有源層；圖案化氮化硅柵絕緣層，在氮化硅柵絕緣層上形成至少一個(gè)第一開(kāi)口；在第一開(kāi)口內(nèi)、襯底上形成氧化物晶體管的氧化物有源層，其中，每個(gè)第一開(kāi)口在襯底上的第一正投影，覆蓋對(duì)應(yīng)一個(gè)氧化物晶體管的氧化物有源層在襯底上的第二正投影，且第一正投影的邊緣與第二正投影的邊緣之間最小距離大于0；在氧化物晶體管背離襯底的表面形成第一氧化硅柵絕緣層；以及在硅有源層背離襯底側(cè)形成第一柵極，在氧化物有源層背離襯底側(cè)形成第二柵極，第一柵極與硅有源層絕緣間隔，第二柵極與氧化物有源層通過(guò)第一氧化硅柵絕緣層絕緣間隔。