[發明專利]顯示面板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202010615083.0
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111710685B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 謝鋒
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王文

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

襯底；

驅動陣列層，位于所述襯底上，所述驅動陣列層包括多個像素驅動單元，每個所述像素驅動單元包括硅晶體管以及氧化物晶體管，所述硅晶體管包括硅有源層以及位于所述硅有源層背離所述襯底側的第一柵極，所述氧化物晶體管包括氧化物有源層以及位于所述氧化物有源層背離所述襯底側的第二柵極，其中，所述硅有源層與所述氧化物有源層同層設置；

所述驅動陣列層還包括氮化硅柵絕緣層和第一氧化硅柵絕緣層，所述氮化硅柵絕緣層、所述第一氧化硅柵絕緣層中的至少一者位于所述硅有源層背離所述襯底的表面，以將所述第一柵極與所述硅有源層絕緣間隔，所述氮化硅柵絕緣層包括至少一個第一開口，每個所述第一開口在所述襯底上的第一正投影，覆蓋對應一個所述氧化物晶體管的所述氧化物有源層在所述襯底上的第二正投影，且所述第一正投影的邊緣與所述第二正投影的邊緣之間最小距離大于0，所述第一氧化硅柵絕緣層還位于所述氧化物有源層背離所述襯底的表面，以將所述第二柵極與所述氧化物有源層絕緣間隔。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述驅動陣列層還包括：

第二氧化硅柵絕緣層，所述第二氧化硅柵絕緣層位于所述氧化物有源層朝向所述襯底的表面，

所述氧化物晶體管還包括第三柵極，所述第三柵極位于所述氧化物有源層朝向所述襯底側，并且通過所述第二氧化硅柵絕緣層與所述氧化物有源層絕緣間隔。

3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述氮化硅柵絕緣層還包括至少一個第二開口，每個所述第二開口在所述襯底上的第三正投影，覆蓋對應一個所述硅晶體管的所述硅有源層在所述襯底上的第四正投影，所述第一氧化硅柵絕緣層位于所述硅有源層背離所述襯底的表面，以將所述第一柵極與所述硅有源層絕緣間隔。

4.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述驅動陣列層還包括：

層間絕緣層，所述層間絕緣層位于所述第一柵極、所述第二柵極背離所述襯底側，并且所述層間絕緣層覆蓋所述硅有源層、所述第一柵極、所述氧化物有源層、所述第二柵極設置，

所述硅晶體管還包括第一源電極以及第一漏電極，所述第一源電極、所述第一漏電極位于所述層間絕緣層背離所述襯底側，所述第一源電極、所述第一漏電極分別通過設于所述層間絕緣層內的第一過孔與所述硅有源層連接，

所述氧化物晶體管還包括第二源電極以及第二漏電極，所述第二源電極、所述第二漏電極位于所述層間絕緣層背離所述襯底側，所述第二源電極、所述第二漏電極分別通過設于所述層間絕緣層內的第二過孔與所述氧化物有源層連接，

其中，所述第一過孔、所述第二過孔在垂直于所述襯底方向上的深度相等。

5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述第一過孔在垂直于所述襯底方向上的深度為380納米至1100納米；所述第二過孔在垂直于所述襯底方向上的深度為380納米至1100納米。

6.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述驅動陣列層還包括：

平坦化層，所述平坦化層位于所述第一源電極、所述第一漏電極、所述第二源電極、所述第二漏電極的背離所述襯底側；

所述顯示面板還包括發光元件陣列層，位于所述平坦化層的背離所述襯底側，所述發光元件陣列層包括多個發光元件，每個所述發光元件包括與對應一個像素驅動單元的所述硅晶體管相連接的第一電極。

7.根據權利要求6所述的顯示面板，其特征在于，所述平坦化層包括：

第一子平坦化層，位于所述第一源電極、所述第一漏電極、所述第二源電極、所述第二漏電極的背離所述襯底側；

第二子平坦化層，位于所述第一子平坦化層的背離所述襯底側，

所述驅動陣列層還包括：

輔助導線，夾設于所述第一子平坦化層與所述第二子平坦化層之間，所述輔助導線將所述第一電極與對應所述硅晶體管的所述第一源電極或所述第一漏電極連接。