[發明專利]微發光二極管基板及其制作方法、顯示面板及其制作方法

有效

• 申請號: 202010615068.6
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111725197B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 艾曉雷
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L25/00
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 王文

1.一種微發光二極管基板，其特征在于，包括：

第一襯底；以及

微發光二極管陣列層，位于所述第一襯底上，所述微發光二極管陣列層包括：

介電層，位于所述第一襯底上，所述介電層包括陣列排布的多個通孔，每個所述通孔貫穿所述介電層在垂直于所述第一襯底方向上相對的兩個表面，每個所述通孔包括內壁面，所述通孔的至少部分內壁面設有多個微結構，所述微結構為凸起結構或凹入結構；以及

多個微發光二極管，所述微發光二極管的至少部分位于對應的所述通孔內，并與所述通孔的內壁面連接，以使所述介電層移動時，所述微發光二極管隨之移動。

2.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，每個所述微發光二極管在對應所述通孔內的形狀，與對應所述通孔內壁面的形狀互補。

3.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述通孔在所述第一襯底上的正投影的至少部分輪廓呈鋸齒狀。

4.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述介電層為無機介電層。

5.根據權利要求4所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述介電層為氧化硅層、氧化鈦層中的任一或至少一者的疊層。

6.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述介電層在垂直于所述第一襯底方向上的厚度為0.5微米至10微米。

7.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，每個所述微發光二極管在垂直于所述第一襯底方向上的高度，與對應所述通孔在垂直于所述第一襯底方向上的深度的差值為-1000納米至1000納米。

8.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述通孔在平行于所述第一襯底方向上的直徑為1微米至50微米。

9.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，相鄰所述通孔之間的間距為1微米至50微米。

10.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述內壁面垂直于所述第一襯底；或者

至少部分所述內壁面相對于所述第一襯底傾斜設置。

11.根據權利要求10所述的微發光二極管基板，其特征在于，每個所述通孔包括相對的第一開口和第二開口，所述第一開口朝向所述第一襯底，所述第二開口遠離所述第一襯底，其中，所述第二開口的開口面積大于所述第一開口的開口面積。

12.根據權利要求10所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述內壁面為柱面；或者

所述內壁面為錐面或部分錐面。

13.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述微發光二極管陣列層還包括：

反射層，位于所述介電層背離所述第一襯底的一側。

14.根據權利要求13所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述反射層為第一分布式布拉格反射層。

15.根據權利要求1所述的微發光二極管基板，其特征在于，所述介電層背離所述第一襯底的表面設有凹槽，其中，至少部分所述凹槽圍繞所述通孔設置。

16.根據權利要求15所述的微發光二極管基板，其特征在于，還包括：

導熱層，位于所述介電層背離所述第一襯底的一側，并且填充所述凹槽設置，

其中，所述導熱層包括多個導熱單元，所述多個導熱單元相互交叉形成多個第三開口，每個所述第三開口暴露至少一個所述微發光二極管，所述多個導熱單元中的至少部分延伸至所述介電層的外邊緣，并從所述介電層的外邊緣暴露。