[發明專利]下電極組件及工藝腔室有效
| 申請號: | 202010614772.X | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111850517B | 公開(公告)日: | 2022-10-21 |
| 發明(設計)人: | 王福來 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京思創畢升專利事務所 11218 | 代理人: | 孫向民;廉莉莉 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 組件 工藝 | ||
1.一種下電極組件,其特征在于,包括承載盤和設置于所述承載盤的中心區域的轉盤,所述轉盤的周向設有叉指,所述轉盤能夠相對于所述承載盤轉動和帶動所述叉指升降,其中:
所述轉盤包括上下疊置的壓盤(2)和固定盤(1),以及設置于所述壓盤(2)和所述固定盤(1)之間的至少一個高度調節組件;
每個所述高度調節組件,用于通過調節自身的升降高度,來調節每個所述叉指的升降高度;
沿所述固定盤(1)的周向設置有至少一個定位槽,每個所述定位槽用于容納一根所述叉指;
所述壓盤(2),用于將所述叉指(4)壓設于所述定位槽內;
每個所述高度調節組件均對應設置于一個所述定位槽內,用于通過調節自身在所述定位槽內的升降高度,來調節所述叉指的升降高度;
每個所述高度調節組件均包括調節塊(3)和一對調節螺釘(5),所述一對調節螺釘(5)分別通過螺紋連接于所述調節塊(3)的兩端且貫穿所述調節塊(3),所述調節螺釘(5)的尾端與所述定位槽內的槽底接觸。
2.根據權利要求1所述的下電極組件,其特征在于,所述定位槽包括沿所述固定盤(1)的徑向設置的第一槽體和垂直于所述第一槽體的第二槽體,所述第一槽體和所述第二槽體相交且二者所在的平面與所述固定盤(1)所在的平面平行,所述第一槽體用于容納所述叉指(4),所述第二槽體用于放置所述調節塊(3),所述調節塊(3)的頂部設有凹槽,所述凹槽位于所述第一槽體內,所述叉指(4)的一部分設置于所述第一槽體和所述凹槽內。
3.根據權利要求2所述的下電極組件,其特征在于,所述調節塊(3)的兩端設有一對第一通孔,每個所述第一通孔均用于螺紋連接一個所述調節螺釘(5),所述調節螺釘(5)的尾端與所述第二槽體的槽底接觸,以調節所述調節塊(3)上升或下降;
所述壓盤(2)上設有多個第二通孔,每個第二通孔與一個所述第一通孔同軸設置,所述調節螺釘(5)的頂端置于所述第二通孔內。
4.根據權利要求3所述的下電極組件,其特征在于,所述第二槽體的中部向下凹陷形成深槽結構,所述調節塊(3)為倒幾字形,所述調節塊(3)的中部設于所述深槽結構內,所述調節塊(3)的兩側搭設于所述第二槽體的槽底。
5.根據權利要求1所述的下電極組件,其特征在于,在所述壓盤(2)的表面沿其圓周方向設有多個螺釘孔,所述壓盤(2)通過位于所述螺釘孔內的螺釘(6)與所述固定盤(1)實現連接。
6.根據權利要求4所述的下電極組件,其特征在于,所述深槽結構的深度小于所述固定盤(1)的厚度。
7.根據權利要求1所述的下電極組件,其特征在于,所述承載盤設有至少一個叉指凹槽,當所述叉指下降時,所述叉指凹槽用于容納所述叉指。
8.一種工藝腔室,其特征在于,包括權利要求1-7任一項所述的下電極組件。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





