[發(fā)明專(zhuān)利]靶向納米顆粒及制備方法、應(yīng)用、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010614052.3 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111840251B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-07-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李凱;奚磊;吳長(zhǎng)鋒 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南方科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | A61K9/51 | 分類(lèi)號(hào): | A61K9/51;A61K47/34;A61K41/00;A61P35/00 |
| 代理公司: | 華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 馬小悅 |
| 地址: | 518051 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靶向 納米 顆粒 制備 方法 應(yīng)用 系統(tǒng) 設(shè)備 存儲(chǔ) 介質(zhì) | ||
1.式(I)所示共軛聚合物在制備靶向納米材料中的應(yīng)用;
其中,Ar1選自:
Ar2選自:
其中,R2、R3和R8各自獨(dú)立地選自C2-16烷基;
n為5-1000的整數(shù);
所述共軛聚合物的吸收波長(zhǎng)在800nm~1100nm;
所述靶向納米材料為靶向納米顆粒,包括所述共軛聚合物和包覆所述共軛聚合物的兩親性聚合物,所述兩親性聚合物為PEG衍生物,所述PEG衍生物選自:Lipid-PEG、DSPE-PEG、PS-PEG-COOH中的一種或多種;
所述靶向納米材料在近紅外脈沖激光的輔助下,能夠產(chǎn)生光聲力效應(yīng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,R2為-C2H5;R3為-C4H9;R8為-C8H17。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述共軛聚合物為經(jīng)熒光基團(tuán)修飾的共軛聚合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述兩親性聚合物為L(zhǎng)ipid-PEG或DSPE-PEG,所述共軛聚合物和兩親性聚合物的質(zhì)量比為1:(1.8~2.2)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述DSPE-PEG為DSPE-PEG2000。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述靶向納米顆粒采用包括如下步驟的制備方法獲得:
將所述共軛聚合物、所述兩親性聚合物和有機(jī)溶劑混合,得到混合液;
將所述混合液與水混合,并進(jìn)行超聲處理;
除去所述有機(jī)溶劑;
其中,所述兩親性聚合物為PS-PEG-COOH,在所述混合液中所述共軛聚合物的濃度為45μg/mL~55μg/mL,所述兩親性聚合物的濃度為8μg/mL~12μg/mL。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用,其特征在于,將所述混合液與水混合,并進(jìn)行超聲處理的步驟中,所述混合液和水的體積比為1:(1.8~2.2)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用,其特征在于,所述的制備方法還包括如下步驟:將殘留液過(guò)濾,收集濾液,所述濾液為包含有所述靶向納米材料的懸浮液。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的應(yīng)用,其特征在于,采用0.1μm~0.3μm的針頭式過(guò)濾器。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用,其特征在于,超聲功率為72W~82W。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用,其特征在于,采用透析或旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)的方法除去所述有機(jī)溶劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的應(yīng)用,其特征在于,熒光基團(tuán)修飾使用的熒光試劑為:
BTPEBT、TPE-TPAFN或近紅外熒光pDA熒光試劑。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述靶向納米顆粒的粒徑為15nm~80nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述靶向納米顆粒的粒徑為15nm~60nm。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用,其特征在于,所述靶向納米顆粒的粒徑為18nm~50nm。
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