[發明專利]一種對準裝置、方法及對準重復性檢測方法在審
| 申請號: | 202010612166.4 | 申請日: | 2020-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN113934117A | 公開(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發明(設計)人: | 楊金良;陳小娟;忻斌杰 | 申請(專利權)人: | 上海微電子裝備(集團)股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 對準 裝置 方法 重復性 檢測 | ||
本發明實施例公開了一種對準裝置、方法及對準重復性檢測方法。對準裝置包括照明系統、掩模版、投影物鏡、基準板、探測器以及控制系統,基準板上設置有至少一個基準標記,探測器的通道與基準標記一一對應;基準標記包括至少一個基準子標記,基準子標記包括至少一個沿X方向延伸的X向基準狹縫和至少一個沿Y方向延伸的Y向基準狹縫;掩模版上設置有掩模標記,掩模標記包括至少一個掩模子標記,掩模子標記包括至少一個沿X方向延伸的X向掩模狹縫和至少一個沿Y方向延伸的Y向掩模狹縫。本發明實施例提供的技術方案根據單對基準標記和掩模標記即可確定掩模版相對于基準板在X方向和Y方向上的位置,如此,可減小探測器的通道數量,降低成本。
技術領域
本發明實施例涉及光刻技術領域,尤其涉及一種對準裝置、方法及對準重復性檢測方法。
背景技術
光刻機又名曝光機,光刻系統等。掩模一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
其中,光刻機包括對準裝置,用于實現掩模版和晶片對準。光刻機包括掩模臺和工件臺,掩模臺用于承載掩模版,工件臺用于承載晶片和基準板,當掩模版相對于基準板的位置確定之后即可確定掩模版相對于晶片的位置,進而實現掩模版和晶片對準。可見,獲得掩模版相對于基準板的位置是對準的關鍵步驟,為此,現有技術中,在基準板上設置至少兩個基準標記,相應的,在掩模版上設置至少兩個掩模標記,其中,至少一對基準標記和掩模標記用于獲得掩模版相對于基準板在X方向的位置,至少另一對基準標記和掩模標記用于獲得掩模版相對于基準板在Y方向的位置。如此,即可獲得掩模版相對于基準板的位置。
但是,由于單對基準標記和掩模標記僅能確定掩模版相對于基準板在一個方向的位置,因此,基準板上至少應當設置兩個基準標記才能夠獲得掩模版相對于基準板在X方向和Y方向的位置。而每個基準標記對應配置有一個探測器的通道,導致探測器的通道的數量至少為兩個,硬件成本較高。
發明內容
本發明提供一種對準裝置、方法及對準重復性檢測方法,以實現減少探測器的通道數量,降低成本。
第一方面,本發明實施例提供了一種對準裝置,包括:照明系統、設置在掩模臺上的掩模版、投影物鏡、設置在工件臺上的基準板、探測器以及控制系統,所述掩模版和所述基準板分設于所述投影物鏡兩側,所述照明系統位于所述掩模版背離所述投影物鏡的一側,所述探測器位于所述基準板背離所述投影物鏡的一側,其特征在于,
所述基準板上設置有至少一個基準標記,所述探測器的通道與所述基準標記一一對應;所述基準標記包括至少一個基準子標記,所述基準子標記包括至少一個沿X方向延伸的X向基準狹縫和至少一個沿Y方向延伸的Y向基準狹縫;
所述掩模版上設置有掩模標記,所述掩模標記包括至少一個掩模子標記,所述掩模子標記包括至少一個沿X方向延伸的X向掩模狹縫和至少一個沿Y方向延伸的Y向掩模狹縫;
其中,所述基準標記和所述掩模標記滿足如下要求:當一所述基準標記中的所述X向掩模狹縫與一所述掩模標記中的所述X向基準狹縫對準時,經所述Y向掩模狹縫通過的光無法通過所述Y向基準狹縫;當一所述基準標記中的所述Y向掩模狹縫與一所述掩模標記中的所述Y向基準狹縫對準時,經所述X向掩模狹縫通過的光無法通過所述X向基準狹縫;所述X方向和所述Y方向交叉。
可選的,每個所述基準標記包括多個基準子標記,相鄰兩基準子標記之間不交疊;每個所述掩模標記包括多個掩模子標記,相鄰兩掩模子標記之間不交疊。
可選的,所述基準子標記包括第一X向基準狹縫、第二X向基準狹縫、第一Y向基準狹縫和第二Y向基準狹縫;所述第一X向基準狹縫所在直線、所述第二X向基準狹縫所在直線、第一Y向基準狹縫所在直線和所述第二Y向基準狹縫所在直線圍成一基準矩形;
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