[發(fā)明專利]一種電子設(shè)備、半導(dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)、支架及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010612069.5 | 申請日: | 2020-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN111613710B | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王維昀;王新強(qiáng);李永德;王后錦;康俊杰;袁冶;羅巍 | 申請(專利權(quán))人: | 松山湖材料實驗室 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 付興奇 |
| 地址: | 523000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電子設(shè)備 半導(dǎo)體器件 封裝 結(jié)構(gòu) 支架 及其 制作方法 | ||
一種電子設(shè)備、半導(dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)、支架及其制作方法,屬于半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域。支架包括對置并通過電鍍層連接的第一架和第二架。其中,第一架和第二架均為陶瓷基且在表面形成金屬層。該支架具有更長的使用壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及半導(dǎo)體器件封裝領(lǐng)域,具體而言,涉及一種電子設(shè)備、半導(dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)、支架及其制作方法。
背景技術(shù)
深紫外發(fā)光二極管(Deep Ultraviolet Light Emitting Diode,簡稱UV-C LED),是指一種發(fā)光中心波長小于400nm的發(fā)光二極管。
在UV-C LED的封裝結(jié)構(gòu)一般采用絕緣基板與絕緣圍壩構(gòu)成的支架結(jié)構(gòu)來放置發(fā)光紫外二極管芯片,再將光學(xué)透鏡與圍壩之間通過封裝膠進(jìn)行粘接或焊接材料進(jìn)行焊接,從而使光學(xué)透鏡和支架結(jié)構(gòu)之間共同形成封閉空間,并以此來保護(hù)其中的紫外發(fā)光二極管芯片。
然而,上述封裝結(jié)構(gòu)的UV-C LED在使用過程中往往表現(xiàn)出較短的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
為改善、甚至解決UV-C LED的使用壽命短的問題,本申請?zhí)岢隽艘环N電子設(shè)備、半導(dǎo)體器件、封裝結(jié)構(gòu)、支架及其制作方法。
本申請是這樣實現(xiàn)的:
在第一方面,本申請的示例提供了一種用于半導(dǎo)體器件封裝的支架。該支架包括依次疊層分布的第一架、電鍍層以及第二架。
其中,第一架包括第一陶瓷基體及其表面的第一金屬覆層。與第一架對置的第二架包括第二陶瓷基體及其表面的第二金屬覆層。電鍍層,位于對置的第一架和第二架之間且分別與第一金屬覆層和第二金屬覆層電鍍連接。
在該支架結(jié)構(gòu)中,由于第一架和第二架均采用陶瓷材料的基體,因此,兩者具有相對更適宜的熱膨脹系數(shù)匹配關(guān)系,從而可以承受一定高溫的。同時由于第一架和第二架通過電鍍連接,因此,其連接牢固和穩(wěn)定,且能夠避免諸如焊接方式所導(dǎo)致的熱損傷問題。
在第二方面,本申請示例提供了一種制備用于半導(dǎo)體器件封裝的支架的方法。
該方法包括:提供陶瓷基板,陶瓷基板的表面鍍有第一金屬鍍層,且第一金屬鍍層的表層材料為銅、鎳、金或銀;提供陶瓷圍板,陶瓷圍板的表面鍍有第二金屬鍍層,且所述第二金屬鍍層的表層材料為銅、鎳、金或銀;使陶瓷基板和陶瓷圍板在對位配合狀態(tài)下進(jìn)行電鍍銅、鎳、金或銀,以在第一金屬鍍層和第二金屬鍍層之間形成電鍍層使二者連接。
在第三方面,本申請示例提供了一種封裝結(jié)構(gòu),其包括上述的支架、固定于支架的半導(dǎo)體芯片;以及覆蓋并固定于支架的透明材料。
在第四方面,本申請示例提供了一種半導(dǎo)體器件,其包括上述的封裝結(jié)構(gòu)。
在第五方面,本申請示例提供了一種電子設(shè)備,其包括上述的封裝結(jié)構(gòu)。
在以上實現(xiàn)過程中,本申請實施例提供的支架具有制作方便的優(yōu)點,且其能夠承受相對較高的工作溫度或工藝溫度(如350攝氏度)。
附圖說明
為了更清楚地說明本申請實施例的技術(shù)方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,應(yīng)當(dāng)理解,以下附圖僅示出了本申請的某些實施例,因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。
圖1為本申請示例提供的第一種支架的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2示出了圖1支架的剖視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3示出了圖1支架中的第一架的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4示出了圖1支架中的第二架的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖5為本申請示例中的另一種第二架的結(jié)構(gòu)示意圖(具有兩個電鍍電極);
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于松山湖材料實驗室,未經(jīng)松山湖材料實驗室許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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