[發明專利]一種電子設備、半導體器件、封裝結構、支架及其制作方法

有效

• 申請號: 202010612069.5
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111613710B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 王維昀;王新強;李永德;王后錦;康俊杰;袁冶;羅巍
• 申請（專利權）人: 松山湖材料實驗室
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 付興奇

1.一種支架，其特征在于，所述支架包括：

第一架，包括第一陶瓷基體及其表面的第一金屬覆層；

與所述第一架對置的第二架，包括第二陶瓷基體及其表面的第二金屬覆層；

電鍍層，位于對置的所述第一架和所述第二架之間，且分別與所述第一金屬覆層和所述第二金屬覆層電鍍連接。

2.根據權利要求1所述的支架，其特征在于，所述支架包括下述任意一項或多項之限定：

第一限定、所述第一陶瓷基體的厚度在0.2毫米至1.5毫米之間；

第二限定、所述第二陶瓷基體的厚度小于等于1.0毫米；

第三限定、所述第一架的熱膨脹系數與所述第二架的熱膨脹系數一致或相近；

第四限定、所述支架在工作溫度達到250℃至400℃的條件下的工作時間在5分鐘以上；

第五限定、所述支架能夠在高低溫溫差50至200℃的交替高低溫環境下持續工作；

第六限定、所述第一金屬覆層和所述第二金屬覆層均是平整的或凹凸不平的，和/或，所述第一陶瓷基體和所述第一陶瓷基體分別獨立地構造為平整的或凹凸不平的；

第七限定、第一陶瓷基體與第二陶瓷基體之間的金屬材料，包括第一金屬覆層、第二金屬覆層和電鍍金屬層，厚度不超過100μm。

3.根據權利要求1或2所述的支架，其特征在于，所述第一金屬覆層和所述第二金屬覆層之間具有墊片。

4.根據權利要求3所述的支架，其特征在于，所述墊片位于所述第一金屬覆層和所述電鍍層之間。

5.根據權利要求4所述的支架，其特征在于，所述墊片的厚度小于80微米；和/或，所述墊片的材料是金屬或非金屬。

6.根據權利要求3所述的支架，其特征在于，所述墊片結合于所述電鍍層內。

7.根據權利要求6所述的支架，其特征在于，所述墊片的厚度小于80微米；和/或，所述墊片的材料是金屬或非金屬。

8.根據權利要求3所述的支架，其特征在于，所述墊片的厚度小于70微米。

9.根據權利要求1或2所述的支架，其特征在于，所述第一金屬覆層和所述第二金屬覆層直接通過所述電鍍層電鍍連接。

10.根據權利要求1所述的支架，其特征在于，所述支架具有電鍍電極，且所述電鍍電極與所述電鍍層電性連接；

或者，所述支架具有結合于所述第二陶瓷基體的電鍍電極，所述第二陶瓷基體具有通孔、填充于所述通孔內的導電柱，所述電鍍電極通過所述導電柱與所述電鍍層電性連接。

11.根據權利要求3所述的支架，其特征在于，所述支架具有電鍍電極，且所述電鍍電極與所述電鍍層電性連接；

或者，所述支架具有結合于所述第二陶瓷基體的電鍍電極，所述第二陶瓷基體具有通孔、填充于所述通孔內的導電柱，所述電鍍電極通過所述導電柱與所述電鍍層電性連接。

12.根據權利要求9所述的支架，其特征在于，所述支架具有電鍍電極，且所述電鍍電極與所述電鍍層電性連接；

或者，所述支架具有結合于所述第二陶瓷基體的電鍍電極，所述第二陶瓷基體具有通孔、填充于所述通孔內的導電柱，所述電鍍電極通過所述導電柱與所述電鍍層電性連接。

13.根據權利要求1所述的支架，其特征在于，所述支架具有結合于所述第二陶瓷基體的電鍍電極，所述第二陶瓷基體具有兩個電鍍通孔、分別填充于所述兩個電鍍通孔內的兩個導電柱，所述電鍍電極通過所述兩個導電柱與所述電鍍層電性連接；

所述第二陶瓷基體具有正電極和負電極，所述正電極具有正極通孔，所述負電極具有負極通孔，所述正極通孔和所述負極通孔的連線與所述兩個電鍍通孔的連線正交或與正負電極連線呈一傾斜角度；

或者，所述電鍍電極位于所述第二陶瓷基體的邊緣。