[發(fā)明專利]光罩和光罩信息讀取方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010611422.8 | 申請日: | 2020-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN111830780A | 公開(公告)日: | 2020-10-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李玉華;吳長明;姚振海;金樂群;黃發(fā)彬 | 申請(專利權(quán))人: | 華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/38 | 分類號: | G03F1/38;G03F7/20;G06K7/14 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 信息 讀取 方法 | ||
1.一種光罩,其特征在于,所述光罩包括條形碼區(qū)域,所述條形碼區(qū)域中包括:
主體讀取圖案,所述主體讀取圖案用于表達(dá)光罩的主體讀取信息;
起始讀取圖案,所述起始讀取圖案用于表達(dá)起始讀取信息,所述起始讀取信息指示所述主體讀取信息的起始端;
終止讀取圖案,所述終止讀取圖案用于表達(dá)終止讀取信息,所述終止讀取信息用于指示所述主體讀取信息的終止端。
2.如權(quán)利要求1所述的光罩,其特征在于,所述起始讀取圖案為透光的讀取圖案,所述起始讀取圖案與所述主體讀取圖案的起始端之間的距離為7~9mm。
3.如權(quán)利要求1所述的光罩,其特征在于,所述終止讀取圖案為透光讀取圖案,所述終止讀取圖案與所述主體讀取圖案的終止端之間的距離為7~9mm。
4.如權(quán)利要求1所述的光罩,其特征在于,所述主體讀取圖案包括多個寬度不同的遮光條和透光條;從所述主體讀取圖案的起始讀取端至終止讀取端,所述遮光條和透光條依次交替排列設(shè)置。
5.一種光罩信息讀取方法,其特征在于,所述方法包括至少以下步驟:
確定光罩中的條形碼區(qū)域;
使用檢測光沿著特定方向掃描所述條形碼區(qū)域;
將所述條形碼區(qū)域中的光罩信息轉(zhuǎn)換為具有強(qiáng)弱交替變化,和強(qiáng)弱持續(xù)時間變化的透射光信號;
將所述透射光信號轉(zhuǎn)換為具有高低電平交替變化,和高低電平持續(xù)時間變化的電脈沖信號;
對所述電脈沖信號整形為脈沖數(shù)字信號;
確定所述脈沖數(shù)字信號中的起始信號和終止信號;
以所述起始信號為開始對脈沖數(shù)字信號在時域上依次轉(zhuǎn)換成字符,直至所述終止信號。
6.如權(quán)利要求5所述的光罩信息讀取方法,其特征在于,所述確定光罩信息所在的條形碼區(qū)域的步驟,包括:
確定所述條形碼區(qū)域的起始讀取圖案、主體讀取圖案和終止讀取圖案。
7.如權(quán)利要求6所述的光罩信息讀取方法,其特征在于,所述使用檢測光沿著特定方向掃描所述條形碼區(qū)域的步驟,包括:
使用檢測光,按照所述光罩信息在時域上的先后順序,依次掃描起始讀取圖案、主體讀取圖案和終止讀取圖案。
8.如權(quán)利要求6所述的光罩信息讀取方法,其特征在于,所述將所述條形碼區(qū)域中的光罩信息轉(zhuǎn)換為具有強(qiáng)弱交替變化,和強(qiáng)弱持續(xù)時間變化的透射光信號的步驟,包括:
按照檢測光掃描的順序,依次將所述起始讀取圖案、主體讀取圖案和終止讀取圖案中的光罩信息,分別轉(zhuǎn)換為起始光信號、透射主體光信號和透射終止光信號;所述透射主體光信號在時域上具有強(qiáng)弱交替變化,和強(qiáng)弱持續(xù)時間變化。
9.如權(quán)利要求8所述的光罩信息讀取方法,其特征在于,所述將所述透射光信號轉(zhuǎn)換為具有高低電平交替變化,和高低電平持續(xù)時間變化的電脈沖信號的步驟,包括:
依次將所述透射起始光信號、透射主體光信號和透射終止光信號,分別轉(zhuǎn)換為電脈沖起始信號、電脈沖主體信號和電脈沖終止信號;所述電脈沖主體信號在時域上具有高低電平交替變化,和高低電平持續(xù)時間變化。
整形后得到脈沖起始數(shù)字信號、脈沖主體數(shù)字信號和脈沖終止數(shù)字信號。
10.如權(quán)利要求8所述的光罩信息讀取方法,其特征在于,所述確定所述脈沖數(shù)字信號中的起始信號和終止信號的步驟,包括:
根據(jù)所述脈沖起始數(shù)字信號確定所述起始信號;
根據(jù)所述脈沖終止數(shù)字信號確定所述終止信號。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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