[發明專利]一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝

在審

• 申請號: 202010610448.0
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111739811A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 戴傳勇;梁哲緯
• 申請（專利權）人: 聯立（徐州）半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 蘇州創策知識產權代理有限公司 32322
• 代理人: 范圓圓

本發明公開了一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝，具體如下：(1).預處理；對晶圓依次進行濺鍍、勻膠、光刻和顯影處理；(2).空曝；采用空曝機對正片晶圓進行UV光照射一段時間；(3).凸塊電鍍；采用晶圓級電鍍設備在預鍍區域進行電鍍并形成凸塊；(4).去膠；將晶圓浸泡在N?甲基吡咯烷酮溶液中以去除預處理的涂膠；(5).UBN刻蝕；利用濕式蝕刻機對產品進行化學刻蝕，并將非凸塊區域的預鍍層及阻障層去除。通過在經過預處理之后的晶圓進行空曝工藝，以將光刻膠的分子結構改變進行固化，提高了光刻膠的穩定性，達到提高了光刻膠的穩定性、避免滲透的發生、降低了生產成本、優化了晶圓的電鍍工藝和保證了晶圓電鍍質量的目的。

技術領域

本發明涉及晶圓生產加工領域，具體涉及一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝。

背景技術

目前在晶圓凸塊的制作工藝中都是先制作預鍍層再進行晶圓凸塊電鍍。傳統技術中由于預鍍層是全面性的在晶圓表面沉積預鍍層金屬，再利用光刻膠遮蔽非晶圓凸塊區域，來進行晶圓凸塊電鍍沉積的制作。

但是由于在晶圓凸塊工藝中的電鍍藥水對光刻膠都具備一定的腐蝕性，導致容易出現滲透現象的發生，大多數企業一般通過使用化學征服型光刻膠，但是此類光刻膠非常昂貴，是一般光刻膠的數倍價格，增加了生產成本。

發明內容

為解決上述技術問題，本發明提出了一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝，以達到提高了光刻膠的穩定性、避免滲透的發生、降低了生產成本和保證了晶圓電鍍質量的目的。

為達到上述目的，本發明的技術方案如下：

一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝，具體如下：

(1).預處理；對晶圓依次進行濺鍍、勻膠、光刻和顯影處理；

(2).空曝；采用空曝機對正片晶圓進行UV光照射一段時間；

(3).凸塊電鍍；采用晶圓級電鍍設備在預鍍區域進行電鍍并形成凸塊；

(4).去膠；將晶圓浸泡在N-甲基吡咯烷酮溶液中以去除預處理的涂膠；

(5).UBN刻蝕；利用濕式蝕刻機對產品進行化學刻蝕，并將非凸塊區域的預鍍層及阻障層去除。

本發明通過在經過預處理之后的晶圓進行空曝工藝，以將光刻膠的分子結構改變進行固化，提高了光刻膠的穩定性，達到提高了光刻膠的穩定性、避免滲透的發生、降低了生產成本、優化了晶圓的電鍍工藝和保證了晶圓電鍍質量的目的。

作為優選的，所述預處理工藝具體如下：

所述預處理工藝具體如下：

(1-1).濺鍍；采用濺鍍機鍍2層金屬膜，其中底層先鍍TiW作為阻障層，然后在此阻障層上鍍Au形成預鍍層；

(1-2).勻膠；采用勻膠機將光刻膠均勻涂布在晶圓上，并將涂膠后的晶圓進行在110℃進行烘烤40-60分鐘，；

(1-3).光刻；利用波段為350-400nm的UV光透過光罩對晶圓進行照射；

(1-4).顯影；將需要電鍍沉積區域利用濃度為2.38-3％的四甲基氫氧化銨藥水進行開窗顯影，讓開窗區域的預鍍層裸露出來。

作為優選的，步驟(4)中采用晶圓級電鍍設備在經過(1-4)中開窗顯影的預鍍層上進行電鍍形成凸塊。

作為優選的，步驟(2)中空曝機采用350-400nm的UV光對正片晶圓照射30-60分鐘。

本發明具有如下優點：