[發(fā)明專利]一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010610448.0
• 申請日: 2020-06-30
• 公開（公告）號: CN111739811A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴傳勇;梁哲緯
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)立（徐州）半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)策知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32322
• 代理人: 范圓圓

1.一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝，其特征在于，具體如下：

(1).預處理；對晶圓依次進行濺鍍、勻膠、光刻和顯影處理；

(2).空曝；采用空曝機對正片晶圓進行UV光照射一段時間；

(3).凸塊電鍍；采用晶圓級電鍍設(shè)備在預鍍區(qū)域進行電鍍并形成凸塊；

(4).去膠；將晶圓浸泡在N-甲基吡咯烷酮溶液中以去除預處理的涂膠；

(5).UBN刻蝕；利用濕式蝕刻機對產(chǎn)品進行化學刻蝕，并將非凸塊區(qū)域的預鍍層及阻障層去除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝，其特征在于，所述預處理工藝具體如下：

(1-1).濺鍍；采用濺鍍機鍍2層金屬膜，其中底層先鍍TiW作為阻障層，然后在此阻障層上鍍Au形成預鍍層；

(1-2).勻膠；采用勻膠機將光刻膠均勻涂布在晶圓上，并將涂膠后的晶圓進行在110℃進行烘烤40-60分鐘，；

(1-3).光刻；利用波段為350-400nm的UV光透過光罩對晶圓進行照射；

(1-4).顯影；將需要電鍍沉積區(qū)域利用濃度為2.38-3％的四甲基氫氧化銨藥水進行開窗顯影，讓開窗區(qū)域的預鍍層裸露出來。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝，其特征在于，步驟(4)中采用晶圓級電鍍設(shè)備在經(jīng)過(1-4)中開窗顯影的預鍍層上進行電鍍形成凸塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種適用于晶圓電鍍的滲透改善工藝，其特征在于，步驟(2)中空曝機采用350-400nm的UV光對正片晶圓照射30-60分鐘。