[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 202010603790.8
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111725112B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 和長見;王建龍
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 張少輝

本申請公開了一種半導體裝置，包括：腔室主體，和設置在所述腔室主體上的進氣機構，所述進氣機構包括中空的均流管，所述均流管包括成角度地相連的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部設置有出氣口并處于所述腔室主體的內部，所述第二延伸部為進氣管并穿過所述腔室主體頂壁而延伸到所述腔室主體之外，所述第二延伸部能相對于所述腔室主體周向轉動并帶動所述第一延伸部以所述第二延伸部為軸周向轉動。根據本申請的半導體裝置，腔室主體的進氣均勻性較好。

技術領域

本申請涉及半導體器件制造領域，特別涉及一種半導體裝置。

背景技術

在芯片制造中，需要對基板進行蝕刻。在現有技術中，通常使用干法蝕刻，例如等離子蝕刻。在這種方法中，蝕刻腔室中等離子體分布的均勻性對最終芯片產品的性能有重要影響。然而，離子體分布的均勻性很大程度上受腔室進氣均勻性的影響，由此腔室進氣均勻性變得很重要。

發明內容

根據本發明，提出了一種半導體裝置，包括：腔室主體，和設置在所述腔室主體上的進氣機構，其中，所述進氣機構包括中空的均流管，所述均流管包括成角度地相連的第一延伸部和第二延伸部，所述第一延伸部設置有出氣口并處于所述腔室主體的內部，所述第二延伸部為進氣管并穿過所述腔室主體頂壁而延伸到所述腔室主體之外，所述第二延伸部能相對于所述腔室主體周向轉動并帶動所述第一延伸部以所述第二延伸部為軸周向轉動。

在一個實施例中，所述第一延伸部平行于所述頂壁，并且所述出氣口背向所述頂壁。

在一個實施例中，所述出氣口的數量為多個，并且所述出氣口設置為所述出氣口的軸線沿遠離所述第二延伸部的軸線的方向傾斜。

在一個實施例中，遠離所述第二延伸部的所述出氣口的軸線的傾斜角度大于靠近所述第二延伸部的所述出氣口的軸線的傾斜角度。

在一個實施例中，沿遠離所述第二延伸部的方向，相鄰所述出氣口的軸線的間距逐漸減小。

在一個實施例中，所述進氣機構還包括具有軸向通孔的進氣套環，在所述軸向通孔的周向壁上構造有進氣環槽和與所述進氣環槽連通的進氣孔，所述第二延伸部的處于所述腔室主體之外的部分上構造有側孔，所述第二延伸部能轉動地插入穿過所述軸向通孔，并且所述側孔與所述進氣環槽連通。

在一個實施例中，在所述軸向通孔的周向壁上偏離所述進氣環槽設置有密封圈。

在一個實施例中，所述進氣機構還包括與所述頂壁固定連接的支架，以及固定安裝在所述支架上的驅動機構，所述驅動機構與所述第二延伸部的端部相連，以驅動所述第二延伸部周向轉動，所述進氣套環與所述支架固定連接。

在一個實施例中，所述進氣機構還包括軸向限位環，所述軸向限位環能轉動地安裝在所述第二延伸部的側壁的凹槽上并且固定于所述頂壁上。

在一個實施例中，在所述軸向限位環上構造有冷卻結構，所述冷卻結構包括設置在所述軸向限位環內的冷劑通道。

與現有技術相比，本申請的優點在于：在使用本申請的半導體裝置時，均流管的第二延伸部和第一延伸部均周向轉動，這樣出氣口也就會周向轉動，從而可以將氣體在半導體裝置內均勻地分散開。這有助于提高離子體分布的均勻性，進而有助于提升芯片產品的性能。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構成對本申請的不當限定。在附圖中：

圖1示意性地顯示了根據本申請的半導體裝置的結構圖。

圖2示意性地顯示了進氣機構的結構圖。

圖3示意性地顯示了均流管。

圖4示意性地顯示了進氣套環。

圖5示意性地顯示了進氣套環與均流管的配合關系。