[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號: | 202010603790.8 | 申請日: | 2020-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN111725112B | 公開(公告)日: | 2023-09-08 |
| 發明(設計)人: | 和長見;王建龍 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 張少輝 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,其特征在于,包括:腔室主體,和設置在所述腔室主體上的進氣機構,
其中,所述進氣機構包括中空的均流管,所述均流管包括成角度地相連的第一延伸部和第二延伸部,所述第一延伸部設置有出氣口并處于所述腔室主體的內部,所述第二延伸部為進氣管并穿過所述腔室主體頂壁而延伸到所述腔室主體之外,所述第二延伸部能相對于所述腔室主體周向轉動并帶動所述第一延伸部以所述第二延伸部為軸周向轉動;
所述第一延伸部平行于所述頂壁,并且所述出氣口背向所述頂壁;
所述出氣口的數量為多個,并且所述出氣口設置為所述出氣口的軸線沿遠離所述第二延伸部的軸線的方向傾斜;
遠離所述第二延伸部的所述出氣口的軸線的傾斜角度大于靠近所述第二延伸部的所述出氣口的軸線的傾斜角度;相對所述第二延伸部傾斜的所述出氣口的各軸線上,越遠離所述頂壁的位置與所述第二延伸部的垂直距離越大。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其特征在于,沿遠離所述第二延伸部的方向,相鄰所述出氣口的軸線的間距逐漸減小。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,其特征在于,在所述軸向通孔的周向壁上偏離所述進氣環槽設置有密封圈。
5.根據權利要求3或4所述的半導體裝置,其特征在于,所述進氣機構還包括與所述頂壁固定連接的支架,以及固定安裝在所述支架上的驅動機構,所述驅動機構與所述第二延伸部的端部相連,以驅動所述第二延伸部周向轉動,
所述進氣套環與所述支架固定連接。
6.根據權利要求1或3所述的半導體裝置,其特征在于,所述進氣機構還包括軸向限位環,所述軸向限位環能轉動地安裝在所述第二延伸部的側壁的凹槽上并且固定于所述頂壁上。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置,其特征在于,在所述軸向限位環上構造有冷卻結構,所述冷卻結構包括設置在所述軸向限位環內的冷劑通道。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





