[發明專利]集成驅動器以及電壓轉換器

在審

• 申請號: 202010602803.X
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111628645A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 姚凱衛;張望;趙晨
• 申請（專利權）人: 矽力杰半導體技術（杭州）有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種集成驅動器，應用于包括開關電容變換電路的電壓轉換器，包括：

第一晶片，包括第一類型功率晶體管；

第二晶片，包括至少一個第二類型功率晶體管，所述第一類型功率晶體管的耐壓性能高于所述第二類型功率晶體管的耐壓性能；

所述第一晶片和所述第二晶片串聯耦接在所述電壓轉換器的高電位端和低電位端，使得所述第一類型功率晶體管接收高電壓信號。

2.根據權利要求1所述的集成驅動器，其中，所述第一類型功率晶體管被設置為GaN晶體管。

3.一種集成驅動器，應用于包括開關電容變換電路的電壓轉換器，包括：

第一晶片，包括第一類型功率晶體管和至少一個第二類型功率晶體管，所述第一類型功率晶體管的耐壓性能高于所述第二類型功率晶體管的耐壓性能；

所述第一晶片耦接在所述電壓轉換器的高電位端和低電位端，使得所述第一類型功率晶體管接收高電壓信號。

4.根據權利要求3所述的集成驅動器，其中，所述第一類型功率晶體管和至少一個所述第二類型功率晶體管共用襯底。

5.根據權利要求3所述的集成驅動器，其中，所述第一類型功率晶體管為Si基GaN功率晶體管。

6.根據權利要求1或3所述的集成驅動器，所述第一類型功率晶體管的耐壓性能為所述第一類型功率晶體管的漏源擊穿電壓，所述第二類型功率晶體管的耐壓性能為所述第二類型功率晶體管的漏源擊穿電壓。

7.根據權利要求1或3所述的集成驅動器，其中，所述第一類型功率晶體管的導通電阻小于所述第二類型功率晶體管的導通電阻。

8.根據權利要求1或3所述的集成驅動器，其中，所述第一類型功率晶體管的寄生電容小于所述第二類型功率晶體管的寄生電容。

9.根據權利要求1或3所述的集成驅動器，其中，所述第二類型功率晶體管被設置為Si晶體管。

10.根據權利要求1或3所述的集成驅動器，其中，所述電壓轉換器包括:

所述第一類型功率晶體管，其第一端與所述電壓轉換器的輸入端相連；以及

開關和電容網絡，所述開關和電容網絡連接在所述第一類型功率晶體管的第二端和參考地之間。

11.根據權利要求10所述的集成驅動器，其中，所述第一類型功率晶體管承受的最大電壓為所述電壓轉換器的輸入電壓。

12.根據權利要求10所述的集成驅動器，其中，當所述電壓轉換器啟動之前，所述第一類型功率晶體管承受的電壓大于所述第二類型功率晶體管承受的電壓。

13.根據權利要求10所述的集成驅動器，其中，在所述電壓轉換器啟動之前，所述第一類型功率晶體管的第二端經所述開關和電容網絡至所述參考地的路徑為零電位。

14.根據權利要求10所述的集成驅動器，其中，所述第一類型功率晶體管在所述電壓轉換器正常工作時所承受的電壓小于其在所述電壓轉換器的啟動之前所承受的電壓。

15.根據權利要求10所述的集成驅動器，其中，所述開關和電容網絡包括串聯連接在所述第一類型功率晶體管的第二端和所述參考地之間的多個所述第二類型功率晶體管。

16.根據權利要求15所述的集成驅動器，其中，所述開關和電容網絡還包括至少一組并聯設置的串聯在所述電壓轉換器的輸出端和參考地之間的兩個第二類型功率晶體管。