[發明專利]集成驅動器以及電壓轉換器

在審

• 申請號: 202010602803.X
• 申請日: 2020-06-29
• 公開（公告）號: CN111628645A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發明（設計）人: 姚凱衛;張望;趙晨
• 申請（專利權）人: 矽力杰半導體技術（杭州）有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了一種集成驅動器以及一種電壓轉換器，所述集成驅動器應用于包括開關電容變換電路的所述電壓轉換器，當所述電壓轉換器剛啟動時，所述第一類型的功率晶體管承受的電壓為輸入電壓，通過將所述第一類型的功率晶體管設置為GaN晶體管，以使得所述第一類型的功率晶體管的安全性更為可靠。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種集成驅動器以及一種電壓轉換器。

背景技術

現有的開關電容類的DC/DC變換器，其在啟動之前或剛啟動時，連接在所述變換器的輸入端和參考地之間的第一個晶體管所承受的電壓為輸入電壓，而在正常工作時，所述第一個晶體管所承受的電壓小于所述的輸入電壓。現有的技術中將所述第一個晶體管與其它晶體管設置為同一類型晶體管，會對第一個晶體管的安全性造成影響，且不利于系統的高效性。

發明內容

有鑒于此，本發明提出一種集成驅動器以及一種電壓轉換器，通過將第一類型的功率晶體管設置為GaN晶體管，以使得所述第一類型的功率晶體管的安全性更為可靠。

根據本發明的第一方面，提出一種集成驅動器，應用于包括開關電容變換電路的電壓轉換器，包括：第一晶片，包括第一類型功率晶體管；第二晶片，包括至少一個第二類型功率晶體管，所述第一類型功率晶體管的耐壓性能高于所述第二類型功率晶體管的耐壓性能；所述第一晶片和所述第二晶片串聯耦接在所述電壓轉換器的高電位端和低電位端，使得所述第一類型功率晶體管接收高電壓信號。

優選地，所述第一類型功率晶體管被設置為GaN晶體管。

本發明的第二方面，提出一種集成驅動器，應用于包括開關電容變換電路的電壓轉換器，包括：第一晶片，包括第一類型功率晶體管和至少一個第二類型功率晶體管，所述第一類型功率晶體管的耐壓性能高于所述第二類型功率晶體管的耐壓性能；所述第一晶片耦接在所述電壓轉換器的高電位端和低電位端，使得所述第一類型功率晶體管接收高電壓信號。

優選地，所述第一類型功率晶體管和至少一個所述第二類型功率晶體管共用襯底。

優選地，所述第一類型功率晶體管為Si基GaN功率晶體管。

優選地，所述第一類型功率晶體管的耐壓性能為所述第一類型功率晶體管的漏源擊穿電壓，所述第二類型功率晶體管的耐壓性能為所述第二類型功率晶體管的漏源擊穿電壓。

優選地，所述第一類型功率晶體管的導通電阻小于所述第二類型功率晶體管的導通電阻。

優選地，所述第一類型功率晶體管的寄生電容小于所述第二類型功率晶體管的寄生電容。

優選地，所述第二類型功率晶體管被設置為Si晶體管。

優選地，所述電壓轉換器包括:所述第一類型功率晶體管，其第一端與所述電壓轉換器的輸入端相連；以及開關和電容網絡，所述開關和電容網絡連接在所述第一類型功率晶體管的第二端和參考地之間。

優選地，所述第一類型功率晶體管承受的最大電壓為所述電壓轉換器的輸入電壓。

優選地，當所述電壓轉換器啟動之前，所述第一類型功率晶體管承受的電壓大于所述第二類型功率晶體管承受的電壓。

優選地，在所述電壓轉換器啟動之前，所述第一類型功率晶體管的第二端經所述開關和電容網絡至所述參考地的路徑為零電位。

優選地，所述第一類型功率晶體管在所述電壓轉換器正常工作時所承受的電壓小于其在所述電壓轉換器的啟動之前所承受的電壓。

優選地，所述開關和電容網絡包括串聯連接在所述第一類型功率晶體管的第二端和所述參考地之間的多個所述第二類型功率晶體管。

優選地，所述開關和電容網絡還包括至少一組并聯設置的串聯在所述電壓轉換器的輸出端和參考地之間的兩個第二類型功率晶體管。