[發明專利]淺溝槽隔離結構的制造方法及半導體器件的制造方法在審
| 申請號： | 202010601275.6 | 申請日： | 2020-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN113937053A | 公開（公告）日： | 2022-01-14 |
| 發明（設計）人： | 馬鳳麟;金興成;于紹欣;楊曉芳 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 虞凌霄 |
| 地址： | 214135 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 隔離 結構 制造 方法 半導體器件 | ||
1.一種淺溝槽隔離結構的制造方法，包括：
在高密度等離子體化學氣相沉積硅氧化物填充淺溝槽隔離結構之前，于襯底需要形成淺溝槽隔離結構的位置摻雜P型離子；
高密度等離子體化學氣相沉積硅氧化物填充淺溝槽隔離結構，襯底偏壓功率為1500-2200W，氧氣的流通速率為100-300sccm。
2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述于襯底需要形成淺溝槽隔離結構的位置摻雜P型離子的步驟包括第一ASI注入和第二ASI注入，所述第一ASI注入是垂直注入以在淺溝槽隔離結構底部下方形成所需的空穴濃度增加區，所述第二ASI注入是傾斜注入以在淺溝槽隔離結構側面形成所需的空穴濃度增加區。
3.根據權利要求2所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述第一ASI注入的注入離子為硼離子，所述第二ASI注入的注入離子為銦離子。
4.根據權利要求3所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述第一ASI注入的注入能量為30KeV-200KeV，注入劑量為2E13-9E13/cm2；所述第二ASI注入的注入能量為100KeV-800KeV，注入劑量為2E13-9E13/cm2。
5.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述高密度等離子體化學氣相沉積硅氧化物填充淺溝槽隔離結構的步驟中，SiH4的流通速率為80-150sccm。
6.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述于襯底需要形成淺溝槽隔離結構的位置摻雜P型離子的步驟之前還包括通過STI光刻和STI刻蝕在所述襯底表面形成溝槽的步驟。
7.根據權利要求6所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述在所述襯底表面形成溝槽的步驟之后，所述于襯底需要形成淺溝槽隔離結構的位置摻雜P型離子的步驟之前還包括進行ASI光刻的步驟。
8.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述高密度等離子體化學氣相沉積硅氧化物填充淺溝槽隔離結構的步驟中，沉積的溫度為50-80攝氏度，沉積的壓力為2-7豪托。
9.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離結構的制造方法，其特征在于，所述襯底偏壓功率為1500W。
10.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，通過如權利要求1-8中任一項所述的淺溝槽隔離結構的制造方法進行制造，所述半導體器件的關鍵尺寸為0.18微米以下。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
