[發明專利]基板處理裝置和基板的交接方法在審
| 申請號: | 202010600872.7 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN112185882A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | 我妻雄一郎;朝倉賢太朗;齊藤哲也;渡邊將久 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 交接 方法 | ||
1.一種基板處理裝置,其用于處理基板,其中,
該基板處理裝置包括:
載置臺,其具有沿上下方向貫通該載置臺的貫通孔,該載置臺在上表面載置基板,并且對載置的該基板進行加熱和冷卻中的至少任一項處理;
基板支承銷,其設有貫穿所述貫通孔的貫穿部,該貫穿部構成為能夠自所述載置臺的上表面經由所述貫通孔突出;以及
銷支承構件,其構成為能夠支承所述基板支承銷,
所述基板支承銷設有凸緣部,該凸緣部位于比所述載置臺的下表面靠下側的位置,
所述銷支承構件利用與所述凸緣部的卡合來支承所述基板支承銷,
所述載置臺的所述貫通孔比所述基板支承銷的所述凸緣部細,
所述基板支承銷具有第1構件和第2構件,該第1構件包含所述凸緣部,該第2構件與所述第1構件獨立,并且包含所述貫穿部,
所述第1構件具有滑動面,該滑動面載置所述第2構件且將該第2構件支承為滑動自如。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其中,
所述第2構件包含座部,該座部的直徑大于所述貫穿部的直徑,并且具有與所述滑動面抵接的抵接面。
3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置,其中,
所述第2構件在所述貫穿部具有細徑部。
4.根據權利要求1~3中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述第1構件具有凹部,該凹部供所述第2構件的下側的部分插入。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述第2構件的長度大于自距離所述第1構件最遠的位置的所述載置臺的下表面到該第1構件的所述滑動面的距離。
6.根據權利要求1~5中任一項所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置包括銷移動機構,該銷移動機構使所述基板支承銷沿上下方向移動,
所述銷支承構件設于所述載置臺與所述銷移動機構之間。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述銷支承構件具有插入孔,該插入孔供所述第1構件的比所述凸緣部靠下側的部分插入。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置包括移動機構,該移動機構使所述載置臺沿上下方向移動。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述第2構件的所述貫穿部的直徑為1.0mm~3.0mm,所述貫通孔的內徑為2.0mm~4.0mm。
10.根據權利要求1~9中任一項所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置包括臺支承構件,該臺支承構件的上端部與所述載置臺的下表面連接,并支承所述載置臺,
所述銷支承構件安裝于所述臺支承構件。
11.根據權利要求1~9中任一項所述的基板處理裝置,其中,
所述銷支承構件安裝于所述載置臺的下表面。
12.根據權利要求1~9中任一項所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置包括:
臺支承構件,其上端部與所述載置臺的下表面連接,并支承所述載置臺;以及
被固定構件,其被固定于所述臺支承構件,
所述銷支承構件安裝于所述被固定構件。
13.根據權利要求1~9中任一項所述的基板處理裝置,其中,
該基板處理裝置包括蓋構件,該蓋構件覆蓋所述載置臺的側面,
所述銷支承構件被支承于所述蓋構件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





