[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板的交接方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010600872.7 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN112185882A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 我妻雄一郎;朝倉賢太朗;齊藤哲也;渡邊將久 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 裝置 交接 方法 | ||
本發(fā)明提供基板處理裝置和基板的交接方法。在將基板利用載置臺加熱、冷卻的情況下,改善基板的溫度的面內(nèi)均勻性,防止基板支承銷折斷。基板處理裝置包括:具有沿上下方向貫通載置臺的貫通孔的載置臺,其在上表面載置基板,并對基板進(jìn)行加熱和/或冷卻;設(shè)有貫穿貫通孔且能夠自載置臺的上表面突出的貫穿部的基板支承銷;能夠支承基板支承銷的銷支承構(gòu)件,基板支承銷設(shè)有位于比載置臺的下表面靠下側(cè)的凸緣部,銷支承構(gòu)件利用與凸緣部的卡合來支承基板支承銷,載置臺的貫通孔比基板支承銷的凸緣部細(xì),基板支承銷具有包含凸緣部的第1構(gòu)件和與第1構(gòu)件獨(dú)立且包含貫穿部的第2構(gòu)件,第1構(gòu)件具有載置第2構(gòu)件且將其支承為滑動自如的滑動面。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及基板處理裝置和基板的交接方法。
背景技術(shù)
在專利文獻(xiàn)1中公開有一種防止在對基板進(jìn)行高溫處理的情況下由工藝氣體的迂回等導(dǎo)致基板處理的均勻性受到不良影響的基板處理裝置。該基板處理裝置具有:基座、升降驅(qū)動裝置、多個基板支承銷以及移動阻止構(gòu)件。基座水平配設(shè),通過將基板搭載于上表面而支承該基板。升降驅(qū)動裝置在支承基板的第1位置與低于該第1位置且使基板的支承待機(jī)的第2位置之間驅(qū)動基座而使其升降。基板支承銷被支承為相對于基座沿上下方向移動自如,在基座定位于第2位置的情況下支承基板。移動阻止構(gòu)件在基座自第1位置向第2位置移動時阻止基板支承銷向下方移動。在基座形成有用于插入基板支承銷的銷插入孔,另外,基板支承銷的上端部的直徑設(shè)定為大于銷插入孔的直徑。由此,基板支承銷被支承為相對于基座沿上下方向移動自如。此外,在基座的銷插入孔的上端部形成有凹部,該凹部用于收容直徑較大的基板支承銷的上端部。
專利文獻(xiàn)1:日本特開平11-111821號公報
發(fā)明內(nèi)容
本公開所涉及的技術(shù)為:載置臺具有供基板支承銷貫穿的貫通孔,在將載置于該載置臺的基板利用該載置臺加熱、冷卻的情況下,改善基板的溫度的面內(nèi)均勻性,并且防止基板支承銷的折斷。
本公開的一技術(shù)方案為一種處理基板的基板處理裝置,該基板處理裝置包括:載置臺,其具有沿上下方向貫通該載置臺的貫通孔,該載置臺在上表面載置基板,并且對載置的該基板進(jìn)行加熱和冷卻中的至少任一項(xiàng)處理;基板支承銷,其設(shè)有貫穿所述貫通孔的貫穿部,該貫穿部構(gòu)成為能夠自所述載置臺的上表面經(jīng)由所述貫通孔突出;以及銷支承構(gòu)件,其構(gòu)成為能夠支承所述基板支承銷,所述基板支承銷設(shè)有凸緣部,該凸緣部位于比所述載置臺的下表面靠下側(cè)的位置,所述銷支承構(gòu)件利用與所述凸緣部的卡合來支承所述基板支承銷,所述載置臺的所述貫通孔比所述基板支承銷的所述凸緣部細(xì),所述基板支承銷具有第1構(gòu)件和第2構(gòu)件,該第1構(gòu)件包含所述凸緣部,該第2構(gòu)件與所述第1構(gòu)件獨(dú)立,并且包含所述貫穿部,所述第1構(gòu)件具有滑動面,該滑動面載置所述第2構(gòu)件且將該第2構(gòu)件支承為滑動自如。
根據(jù)本公開,載置臺具有供基板支承銷貫穿的貫通孔,能夠在將載置于該載置臺的基板利用該載置臺加熱、冷卻的情況下,改善基板的溫度的面內(nèi)均勻性,并且防止基板支承銷的折斷。
附圖說明
圖1是示意性表示作為本實(shí)施方式所涉及的基板處理裝置的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的概略的說明圖。
圖2是表示升降銷的結(jié)構(gòu)的概略的說明圖。
圖3是表示圖1的成膜裝置的內(nèi)部的狀態(tài)的局部放大剖視圖,表示載置臺移動到處理位置時的狀態(tài)。
圖4是表示圖1的成膜裝置的內(nèi)部的狀態(tài)的局部放大剖視圖,表示載置臺移動到輸送位置時的狀態(tài)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010600872.7/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:電抗器用骨架、電抗器以及電抗器的制造方法
- 下一篇:顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





