[發(fā)明專利]螺吖啶系化合物、含該化合物的空穴傳輸材料、將該化合物含在空穴傳輸層的有機電子設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010600583.7
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN112142666A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發(fā)明（設計）人: 佐藤輝幸;西尾太一;吉廣大佑;巖井新;新內聡暢
• 申請（專利權）人: 關東化學株式會社
• 主分類號: C07D221/20
• 分類號: C07D221/20;C07D401/10;C07D401/14;C07D405/04;C07D405/10;C07D405/14;C07D409/14;H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 上海一平知識產權代理有限公司 31266
• 代理人: 高一平;徐迅

1.一種化合物，其特征在于，由通式(1-1)表示：

[化1]

式中，

n為0或1；

L表示單鍵、亞苯基、亞萘基或由吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)或者三嗪環(huán)中任一環(huán)形成的2價芳香族雜環(huán)基，所述亞苯基、所述亞萘基或者所述2價芳香族雜環(huán)基還可以具有取代基；

Ar¹～Ar⁵分別獨立地為可以具有取代基的芳香族烴基、可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基或可以具有取代基的稠合多環(huán)芳香族基，

但排除以下化合物(T)，

[化2]

2.一種化合物，其特征在于，由通式(1-2)或(1-3)表示：

[化3]

式中，

n為0或1；

L表示單鍵、亞苯基、亞萘基或由吡啶環(huán)、吡嗪環(huán)、嘧啶環(huán)、噠嗪環(huán)或者三嗪環(huán)中任一環(huán)形成的2價芳香族雜環(huán)基，所述亞苯基、所述亞萘基或者所述2價芳香族雜環(huán)基還可以具有取代基；

Ar¹～Ar⁵分別獨立地為可以具有取代基的芳香族烴基、可以具有取代基的芳香族雜環(huán)基或可以具有取代基的稠合多環(huán)芳香族基；

R為氫、重氫、鹵素基、可以具有取代基的直鏈狀、支鏈狀或者環(huán)狀的烷基、可以具有取代基的直鏈狀、支鏈狀或者環(huán)狀的烷氧基或可以具有取代基的芳香族烴基。

3.根據權利要求1或2所述的化合物，其特征在于，L為單鍵、亞苯基或亞萘基。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的化合物，其特征在于，Ar⁴、Ar⁵分別獨立地為亞苯基、二亞苯基或亞萘基。

5.根據權利要求2至4中任一項所述的化合物，其特征在于，R為氫或苯基。

6.一種空穴傳輸材料，其特征在于，包含權利要求1至5中任一項所述的化合物。

7.一種有機電子設備，包括在陰極與陽極之間具有空穴傳輸層的有機電致發(fā)光器件或有機光電轉換器件，其特征在于，空穴傳輸層包含權利要求1至5中任一項所述的化合物。

8.根據權利要求7所述的有機電子設備，其特征在于，包括在空穴傳輸層與陰極之間具有發(fā)光層的有機電致發(fā)光器件。

9.根據權利要求8所述的有機電子設備，其特征在于，

發(fā)光層包括主體材料和由發(fā)光材料形成的客體材料，

主體材料為電子傳輸性材料或具有空穴傳輸性及電子傳輸性的兩電荷傳輸性材料。