[發明專利]一種防止低壓差線性穩壓器輸出電壓過沖的電路有效
| 申請號: | 202010600382.7 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN111796619B | 公開(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發明(設計)人: | 林少連;邱雷;韓志剛 | 申請(專利權)人: | 同濟大學 |
| 主分類號: | G05F1/56 | 分類號: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 倪靜 |
| 地址: | 200092 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 防止 低壓 線性 穩壓器 輸出 電壓 電路 | ||
1.一種防止低壓差線性穩壓器輸出電壓過沖的電路,所述低壓差線性穩壓器包括功率管,其特征在于,所述電路包括:
防過沖單元,用于輸出緩慢降低的控制電壓;
控制單元,其輸入端與所述防過沖單元的輸出端連接;并且,所述控制電壓通過所述控制單元反饋到所述功率管的柵極,以使低壓差線性穩壓器的輸出電壓緩慢增加;
所述防過沖單元包括:偏置輸入端、第一NMOS管、第二NMOS管、第一電容和電源電壓;其中,所述偏置輸入端連接第一NMOS管的漏極和柵極;所述第一NMOS管和第二NMOS管的柵極連接;所述第一NMOS管和第二NMOS管的源極接地;所述第二NMOS管的漏極連接所述第一電容的負極;所述第一電容的正極連接所述電源電壓;所述第二NMOS管的漏極為所述防過沖單元的輸出端;所述防過沖單元還包括第一PMOS管;所述第一PMOS管的漏極連接所述第一電容的負極;所述第一PMOS管的源極連接所述電源電壓;所述第一PMOS管的柵極為所述防過沖單元的使能信號輸入端。
2.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,所述控制單元包括第三NMOS管和第四NMOS管;其中,第三NMOS管的柵極為所述控制單元的輸入端。
3.根據權利要求2所述的電路,其特征在于,所述低壓差線性穩壓器包括運算放大器;所述運算放大器包括第五NMOS管和第六NMOS管;其中,第五NMOS管的柵極為所述運算放大器的反相輸入端;第六NMOS管的柵極為所述運算放大器的同相輸入端;
所述第三NMOS管的源極和漏極分別與所述第五NMOS管的源極和漏極連接;所述第四NMOS管的源極和漏極分別與所述第六NMOS管的源極和漏極連接;所述第四NMOS管的源極和柵極連接。
4.根據權利要求3所述的電路,其特征在于,所述運算放大器包括電流源,用于所述第五NMOS管和第六NMOS管的供電。
5.根據權利要求4所述的電路,其特征在于,所述電流源包括第七NMOS管;所述第七NMOS管的漏極分別連接所述第五NMOS管和第六NMOS管的源極;所述第七NMOS管的源極接地。
6.根據權利要求3所述的電路,其特征在于,所述運算放大器包括第二PMOS管和第三PMOS管;所述第二PMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的漏極;所述第三PMOS管的漏極連接所述第六NMOS管的漏極;所述第二PMOS管和第三PMOS管的源極連接所述電源電壓;所述第二PMOS管和第三PMOS管的柵極互連;所述第二PMOS管的漏極與柵極互連。
7.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,所述電路包括米勒補償電容,其兩端分別連接所述功率管的柵極和漏極,以補償所述低壓差線性穩壓器的相位裕度。
8.根據權利要求1所述的電路,其特征在于,所述低壓差線性穩壓器包括第四PMOS管,用于控制所述低壓差線性穩壓器在工作狀態與不工作狀態之間的切換。
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