[發明專利]減小非型閃存過擦除現象的方法、系統、存儲介質和終端

在審

• 申請號: 202010597826.6
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN111785314A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 張柱定;王振彪;高益
• 申請（專利權）人: 深圳市芯天下技術有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/14
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;唐敏珊

本發明公開了一種減小非型閃存過擦除現象的方法、系統、存儲介質和終端，同時選中需要擦除區域內所有字線上的單元并對執行擦除操作；按照字線編號順序逐一檢查每根字線，判斷當前的一根字線上的所有單元是否均擦除成功，若均擦除成功則繼續下一條字線的檢查；若當前檢查的一根字線上有單元擦除不成功則對當前檢查的這根字線上的單元執行再擦除操作，直至當前檢查的一根字線上的所有單元均擦除成功后再繼續下一條字線的檢查；通過采用本方法，即使存在很難擦除的cell，需要多次擦除才能成功，那么在多次擦除的時候，也不會對其他字線上的cell有過擦除的舉動，從而避免了其他字線上出現cell過擦除的現象。

技術領域

本發明涉及IC設計領域，尤其涉及的是一種減小非型閃存過擦除現象的方法、系統、存儲介質和終端。

背景技術

Nor flash存儲器有三種主要的操作，第一個為讀操作（Read），第二個為寫操作即編程操作（Program），第三個為擦除操作（Erase）。

傳統的nor flash的擦除單元分為sector erase（扇形擦除），block erase（塊擦除）和chip erase（全芯片擦除）。一個sector一般由4根或者8根字線構成，如圖1所示。一個block通常由8個或者16個sector構成，如圖2所示。傳統的block erase擦除方法是在這個block中的所有sector所包含的所有字線同時被選中。以一個block由16個sector構成為例，在block erase過程中，會有4x16=64根字線會被同時選中，所有被選中的字線給-7v到-10v電壓，source（源極）與bulk（漏極）相連給+7v到+10v電壓，位線bl 1~bl n+1 float（浮空）。傳統的block erase擦除方法，當擦了第一遍后，會緊接著檢查擦除是否成功，只要這64根字線中的任意一根與之相連的cell被檢測出擦除不通過，則這整個block會再次被擦除一遍，直到所有cell都擦除成功。當檢查字線WL1、WL2、WL3……WL63這63根字線與之相連的cell都擦除成功了，但是檢查字線WL64時沒有通過，那么這整個block就需要再重新擦一遍，不管前面總共63根字線是否已經擦除成功，都要重新再擦。這樣的擦除方法就會帶來一個問題，由于個別cell一次或者多次擦除不成功，就會導致其他位于同一個block的擦除成功了的cell又被額外多擦除了幾遍，這就很容易導致這些cell被過擦除，出現overerase現象。其中，sector erase的擦除與block erase擦除類似。

所以，針對norflash存儲器的擦除操作，存在擦除過程中出現過擦除（overerase）的現象，被過擦除的cell（單元）相對于正常擦除的cell的Vth（閾值電壓）降低到了0v甚至0v以下，出現負值。這就導致在正常情況下，當cell的gate端（柵極）給0v時，這個被過擦除的cell會有電流產生，這就會導致該cell所在的位線（Bitline）上的其他被編程為0的cell錯讀成1，導致讀出的結果出錯。

因此，現有的技術還有待于改進和發展。

發明內容

本發明的目的在于提供一種減小非型閃存過擦除現象的方法、系統、存儲介質和終端，旨在解決現有的Nor flash存儲器存在的過擦除現象，影響芯片操作的問題。

本發明的技術方案如下：

一種減小非型閃存過擦除現象的方法，其中，具體包括以下步驟：

S1：同時選中需要擦除的區域內的所有字線上的單元并對所有單元執行擦除操作；

S2：按照字線編號順序，逐一檢查擦除區域內的每根字線，判斷當前檢查的一根字線上的所有單元是否均擦除成功，若當前檢查的一根字線上的所有單元均擦除成功則跳轉至S2，若當前檢查的一根字線上有單元擦除不成功則跳轉至S3；

S3：對當前檢查的一根字線執行再擦除操作，直至當前檢查的一根字線上的所有單元均擦除成功后跳轉至S2。