[發(fā)明專利]一種集成電路封裝用BGA錫球的材料配方及熔煉工藝在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010597054.6 | 申請日： | 2020-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN111705239A | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 唐坤;王廣欣;馬慶;王要利;王鈺森 | 申請（專利權(quán)）人： | 泰安晶品新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C22C13/00 | 分類號： | C22C13/00;C22C1/02;H01L23/498 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 271000 山東省泰安*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 集成電路 封裝 bga 材料 配方 熔煉 工藝 | ||
1.一種集成電路封裝用BGA錫球的材料配方，其特征在于，包括
材料配方中合金成分配比為：96～96.5％錫，3％Ag，0.5％Cu，0.1％～0.5Re。
材料配方中添加的保護劑為KCl、LiCl混合保護劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成電路封裝用BGA錫球的材料配方，其特征在于：所述一種集成電路封裝用BGA錫球的材料配方中所用的每種材料純度均為99.9％以上的分析純。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成電路封裝用BGA錫球的材料配方，其特征在于：所述一種集成電路封裝用BGA錫球的材料配方中添加的KCl、LiCl混合保護劑中KCl：LiCl比例為3:1。
4.一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝，具體步驟為：
Step.1：一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝中合金成分配置。
Step.2：一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝中稱重及熔煉；所述Step.2中使用精確度為萬分之一克的電子天平，按比例分別稱量分析純錫，分析純銀，分析純銅，將稱量后的材料用非自耗真空電弧爐熔煉成鈕扣狀態(tài)。
Step.3：一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝添加保護劑。
Step.4：一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝中融化合金及加入稀土；所述Step.4操作：為打開箱式電阻爐并設(shè)定溫度260度，溫度達到后260度后，將坩堝放入箱式電阻爐保溫至坩堝內(nèi)金屬完全融化，將稱量后的稀土快速加入熔融合金中并用攪拌均勻。
Step.5：一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝中合金冷卻及后處理；所述Step.5中將攪拌均勻后的液態(tài)合金隨爐冷卻，冷卻后的金屬錠敲掉保護劑，機械打磨表面至金屬色并用超聲波清洗，將清洗后的合金放置于干燥的環(huán)境中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝，其特征在于：所述Step.2中三種成分須為塊狀或大顆粒狀，以及所有的添加材料都不能是粉末狀，主要因為粉末會在非自耗真空電弧熔煉過程中被電弧吹跑。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝，其特征在于：所述Step.4中將紐扣狀合金采用箱式電阻爐重熔；所述Step.4中的攪拌棒為玻璃棒；所述Step.4中稀土的加入方法為用紙包裹稀土并粘在玻璃棒下端，用玻璃棒迅速壓入熔融金屬底部并攪拌；所述Step.4中各步驟保證了各成分在合金中分布的均勻性。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝，其特征在于：所述Step.5中的超聲波清洗液為酒精，清洗時間為20-30min。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種集成電路封裝用BGA錫球的熔煉工藝，其特征在于：所述Step.2中非自耗真空電弧爐熔煉時間短，各成分燒損量明顯減少，對熔煉后的合金成分更有保障。
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