[發(fā)明專利]集成電路器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010596850.8
• 申請(qǐng)日: 2020-06-28
• 公開（公告）號(hào): CN112530948A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金東佑;權(quán)赫宇;秋成旼;崔炳德
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;張川緒

1.一種集成電路器件，所述集成電路器件包括：

下電極，形成在基底上；以及

上支撐結(jié)構(gòu)，被構(gòu)造為支撐下電極，上支撐結(jié)構(gòu)圍繞下電極設(shè)置，

其中，上支撐結(jié)構(gòu)包括：上支撐圖案，圍繞下電極，并且在與基底平行的橫向方向上延伸，上支撐圖案具有下電極所穿過的孔；以及上間隔件支撐圖案，位于上支撐圖案與孔內(nèi)部的下電極之間，并且具有與上支撐圖案接觸的外側(cè)壁和與下電極接觸的內(nèi)側(cè)壁，其中，上間隔件支撐圖案的在橫向方向上的寬度沿朝向基底的方向減小。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上支撐圖案具有傾斜側(cè)壁，傾斜側(cè)壁位于與下電極分開并與下電極相對(duì)的位置，上間隔件支撐圖案位于傾斜側(cè)壁與下電極之間，并且

上支撐圖案的傾斜側(cè)壁沿朝向基底的方向在橫向方向上變得更靠近下電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上間隔件支撐圖案具有與下電極同心地布置并圍繞下電極的上端的環(huán)形形狀。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上間隔件支撐圖案包括具有寬度沿朝向基底的方向減小的梯形剖面形狀或三角形剖面形狀的一部分。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上間隔件支撐圖案包括碳氮化硅膜、含硼的氮化硅膜或它們的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上支撐圖案和上間隔件支撐圖案包括相同的材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上支撐圖案和上間隔件支撐圖案包括不同的材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上支撐圖案和上間隔件支撐圖案包括相同的化學(xué)元素，并且

包括在上支撐圖案和上間隔件支撐圖案中的化學(xué)元素的含量不同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上支撐圖案包括具有第一碳原子含量的碳氮化硅膜，

上間隔件支撐圖案包括具有第二碳原子含量的碳氮化硅膜，并且

第二碳原子含量比第一碳原子含量高。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上支撐圖案具有在3.5at％至4.5at％的范圍內(nèi)選擇的第一碳原子含量，并且

上間隔件支撐圖案具有在4.5at％至5.5at％的范圍內(nèi)選擇的且比第一碳原子含量高的第二碳原子含量。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上支撐圖案具有第一密度，并且

上間隔件支撐圖案具有第二密度，第二密度比第一密度低。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其中，

上支撐圖案具有：頂表面，包括在遠(yuǎn)離基底的方向上凸出彎曲的表面；以及底表面，包括在朝向基底的方向上凸出彎曲的表面。

13.一種集成電路器件，所述集成電路器件包括：

多個(gè)下電極，布置在基底上，并且彼此間隔開；

上支撐圖案，在與基底平行的橫向方向上延伸，上支撐圖案具有所述多個(gè)下電極所穿過的多個(gè)孔；以及

多個(gè)上間隔件支撐圖案，以一對(duì)一的方式布置在所述多個(gè)孔內(nèi)部，并且

所述多個(gè)上間隔件支撐圖案中的每個(gè)上間隔件支撐圖案包括與上支撐圖案接觸的外側(cè)壁和與所述多個(gè)下電極中的對(duì)應(yīng)的一個(gè)下電極接觸的內(nèi)側(cè)壁，并且具有在橫向方向上沿朝向基底的方向減小的寬度。