[發(fā)明專利]集成電路器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010596850.8
• 申請日: 2020-06-28
• 公開（公告）號: CN112530948A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設計）人: 金東佑;權赫宇;秋成旼;崔炳德
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;張川緒

提供集成電路器件。集成電路器件包括：下電極，形成在基底上；以及上支撐結構，圍繞下電極設置并支撐下電極。上支撐結構包括：上支撐圖案，圍繞下電極并沿平行于基底的橫向方向延伸，上支撐圖案具有下電極所穿過的孔；以及上間隔件支撐圖案，位于上支撐圖案與孔內部的下電極之間并具有與上支撐圖案接觸的外側壁和與下電極接觸的內側壁，其中，上間隔件支撐圖案在橫向方向上的寬度沿朝向基底的方向減小。

本申請要求于2019年9月17日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0114365號韓國專利申請的優(yōu)先權，所述韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

發(fā)明構思涉及一種集成電路(IC)器件及一種制造該IC器件的方法，更具體地，涉及一種包括電容器的IC器件及一種制造該IC器件的方法。

背景技術

由于電子技術的發(fā)展，半導體器件的尺寸縮小已經快速進步，因此，構成電子器件的圖案已經被尺寸縮小。因此，需要開發(fā)可以包括具有提高的電容并保持期望的電學特性的尺寸縮小的電容器的結構。

發(fā)明內容

發(fā)明構思提供了一種集成電路(IC)器件，即使下電極的高度增加或者下電極的高寬比相對增加，該IC器件也可以防止多個電容器的多個下電極傾斜或塌陷，使得可以減少/防止相鄰的下電極之間的不期望的短路的發(fā)生。

發(fā)明構思還提供了一種制造IC器件的方法，即使下電極的高度增加或者下電極的高寬比相對增加，該方法也可以防止多個電容器的多個下電極傾斜或塌陷，從而可以提高IC器件的可靠性和大規(guī)模生產效率。

根據發(fā)明構思的一個方面，提供了一種IC器件，所述IC器件包括：下電極，形成在基底上；以及上支撐結構，被構造為支撐下電極，上支撐結構圍繞下電極設置。上支撐結構包括圍繞下電極并在與基底平行的橫向方向上延伸的上支撐圖案。上支撐圖案具有下電極所穿過的孔。上間隔件支撐圖案置于上支撐圖案與孔內部的下電極之間。上間隔件支撐圖案具有與上支撐圖案接觸的外側壁和與下電極接觸的內側壁。上間隔件支撐圖案在橫向方向上的寬度沿朝向基底的方向減小。

根據發(fā)明構思的另一方面，提供了一種IC器件，所述IC器件包括布置在基底上并且彼此間隔開的多個下電極。上支撐圖案在與基底平行的橫向方向上延伸。上支撐圖案具有所述多個下電極所穿過的多個孔。多個上間隔件支撐圖案以一對一的方式布置在所述多個孔內部。所述多個上間隔件支撐圖案中的每個上間隔件支撐圖案包括與上支撐圖案接觸的外側壁和與所述多個下電極中的對應的一個下電極接觸的內側壁。所述多個上間隔件支撐圖案中的每個上間隔件支撐圖案在橫向方向上具有寬度，所述寬度沿朝向基底的方向減小。

根據發(fā)明構思的另一方面，提供了一種IC器件，所述IC器件包括布置在基底上并且彼此間隔開的多個下電極。上支撐結構包括上支撐圖案和多個上間隔件支撐圖案。上支撐圖案在與基底平行的橫向方向上延伸，并且具有所述多個下電極所穿過的多個孔。所述多個上間隔件支撐圖案以一對一的方式布置在所述多個孔內部。下支撐圖案在基底與上支撐結構之間沿橫向方向延伸，并且與所述多個下電極接觸。介電膜與所述多個下電極、上支撐圖案、所述多個上間隔件支撐圖案和下支撐圖案接觸。上電極位于與所述多個下電極相對的位置，介電膜位于上電極與所述多個下電極之間。所述多個上間隔件支撐圖案中的每個上間隔件支撐圖案具有在所述多個孔中的對應的一個孔內部與上支撐圖案接觸的外側壁和與所述多個下電極中的對應的一個下電極接觸的內側壁。所述多個上間隔件支撐圖案中的每個上間隔件支撐圖案在橫向方向上具有寬度，所述寬度沿朝向基底的方向減小。

根據發(fā)明構思的另一方面，提供了一種制造IC器件的方法。所述方法包括形成包括順序地堆疊在基底上的成型圖案和上支撐圖案的成型結構圖案。成型結構圖案具有多個孔。形成上間隔件支撐膜以覆蓋上支撐圖案的側壁和頂表面。在所述多個孔內部分別形成多個下電極，以與上間隔件支撐膜和成型圖案接觸。通過去除上間隔件支撐膜的部分以使上支撐圖案的頂表面暴露，來形成多個上間隔件支撐圖案。所述多個上間隔件支撐圖案分別置于上支撐圖案與所述多個下電極之間。去除成型圖案以使所述多個下電極中的每個下電極的側壁暴露。