[發明專利]一種導電膜層、導電膜層制備方法及顯示裝置有效
| 申請號: | 202010596512.4 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN111613629B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 黃建龍 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 導電 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請實施例提供一種導電膜層、導電膜層制備方法及顯示裝置,導電膜層制備方法首先提供一基板,所述基板具有相對設置的第一面和第二面,在所述第一面形成第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層位于所述第一面,所述第二金屬層位于所述第二金屬層遠離所述第一金屬層的一面,在所述第二金屬層遠離所述基板的一面形成第三金屬層,所述第三金屬覆蓋所述第二金屬層邊緣并與所述第一金屬層接觸。本申請通過第一金屬層可以將中間層的第二金屬層完全包裹,避免有光的折射,從而根本上解決第二金屬層的側向蝕刻引起的黑階條紋。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體涉及一種導電膜層、導電膜層制備方法及顯示裝置。
背景技術
面板行業中,SD是信號傳輸的通道,一般采用TI/Al/Ti三層架構,其中下層Ti與Poly-Si相接因為Ti的勢壘比較低可以形成很好的歐姆接觸。中間Al為SD主體,Al的導電性比較好,信號可以快速傳輸,上層Ti一方面可以起到保護主體Al的作用減少氧化,另一方面Ti可以阻止Al在加熱時出現凸起導致搭接異常的問題。隨著手機性能的不斷提升,需求SD越來越小的阻抗,增加SD層Al的厚度是目前的主要方式。SD是三層金屬在同一道制程中依次成膜形成,由于Ti/蝕刻速度慢于Al,因此SD會形成側向蝕刻,由于光的折射在點燈時出現黑階條紋。
發明內容
本申請實施例提供一種導電膜層、導電膜層制備方法及顯示裝置,能夠避免出現黑階條紋。
本申請實施例提供一種導電膜層的制備方法,包括:
提供一基板,所述基板具有相對設置的第一面和第二面;
在所述第一面形成第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層位于所述第一面,所述第二金屬層位于所述第二金屬層遠離所述第一金屬層的一面;
在所述第二金屬層遠離所述基板的一面形成第三金屬層,所述第三金屬覆蓋所述第二金屬層邊緣并與所述第一金屬層接觸。
在一些實施例中,所述在所述第一面形成第一金屬層和第二金屬層之后,包括:
對所述第一金屬層和第二金屬層進行蝕刻。
在一些實施例中,所述在所述第二金屬層遠離所述基板的一面形成第三金屬層之后,包括:
對所述第三金屬層進行蝕刻。
在一些實施例中,所述對所述第三金屬層進行蝕刻之后,包括:
在所述第三金屬層遠離所述基板的一側設置遮光層,所述遮光層遮擋住所述第二金屬層兩側的反射光。
在一些實施例中,所述第一金屬層和第三金屬層采用的材料為鈦,所述第二金屬層采用的材料為鋁。
在一些實施例中,所述第二金屬層的厚度為4500A至5500A。
本申請實施例還提供一種導電膜層,包括:
第一金屬層,具有相對設置的第一面和第二面;
第二金屬層,設置在所述第一面;
第三金屬層,設置在所述第二金屬層遠離所述第一金屬層的一面,且所述第三金屬覆蓋所述第二金屬層邊緣并與所述第一金屬層接觸。
在一些實施例中,所述第一金屬層和第三金屬層采用的材料為鈦,所述第二金屬層采用的材料為鋁。
在一些實施例中,所述第二金屬層的厚度為4500A至5500A。
本申請實施例提供一種顯示裝置,包括以上所述的導電膜層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





