[發(fā)明專利]一種導(dǎo)電膜層、導(dǎo)電膜層制備方法及顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010596512.4 | 申請日: | 2020-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN111613629B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃建龍 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 導(dǎo)電 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種導(dǎo)電膜層的制備方法,其特征在于,包括:
提供一基板,所述基板具有相對設(shè)置的第一面和第二面;
在所述第一面形成第一金屬層和第二金屬層,所述第一金屬層位于所述第一面,所述第二金屬層位于所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一面;
在所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一面形成第三金屬層,所述第三金屬層覆蓋所述第二金屬層邊緣并與所述第一金屬層接觸;
在所述第一面形成所述第一金屬層和所述第二金屬層之后,對所述第一金屬層和所述第二金屬層進(jìn)行蝕刻,所述第二金屬層的刻蝕速度大于所述第一金屬層,形成所述第二金屬層比所述第一金屬層窄;
在所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一面形成第三金屬層之后,對所述第三金屬層進(jìn)行蝕刻;
對所述第三金屬層進(jìn)行蝕刻之后,在所述第三金屬層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)設(shè)置遮光層,所述遮光層遮擋住所述第二金屬層兩側(cè)的反射光;
其中,所述第二金屬層以及所述第三金屬層的橫截面形狀為梯形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜層的制備方法,其特征在于,所述第一金屬層和第三金屬層采用的材料為鈦,所述第二金屬層采用的材料為鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電膜層的制備方法,其特征在于,所述第二金屬層的厚度為4500A至5500A。
4.一種導(dǎo)電膜層,其特征在于,包括:
第一金屬層,具有相對設(shè)置的上表面和下表面;
第二金屬層,設(shè)置在所述上表面,所述第二金屬層比所述第一金屬層窄;
第三金屬層,設(shè)置在所述第二金屬層遠(yuǎn)離所述第一金屬層的一面,且所述第三金屬層覆蓋所述第二金屬層邊緣并與所述第一金屬層接觸;
遮光層,所述遮光層設(shè)置在所述第三金屬層遠(yuǎn)離基板的一側(cè);
其中,所述第二金屬層以及所述第三金屬層的橫截面形狀為梯形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電膜層,其特征在于,所述第一金屬層和第三金屬層采用的材料為鈦,所述第二金屬層采用的材料為鋁。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電膜層,其特征在于,所述第二金屬層的厚度為4500A至5500A。
7.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求4至6任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電膜層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
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