[發(fā)明專利]一種獼猴桃資源的離體保存繁育方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010595685.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111587688B | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 呂海燕;鐘彩虹;李大衛(wèi);陳亮;費(fèi)早霞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院武漢植物園 |
| 主分類號(hào)： | A01G2/30 | 分類號(hào)： | A01G2/30;A01H4/00;A01G22/05 |
| 代理公司： | 武漢宇晨專利事務(wù)所(普通合伙) 42001 | 代理人： | 黃瑞棠 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 獼猴桃 資源 保存 繁育 方法 | ||
1.一種獼猴桃資源的離體保存繁育方法，包括下列步驟：
A、接穗準(zhǔn)備：取待保存繁育的獼猴桃硬枝于室內(nèi)水培，硬枝切取成長(zhǎng)20-30cm的截段，硬枝形態(tài)學(xué)上端切口用石蠟密封，形態(tài)學(xué)下端5-8cm浸泡于裝有含0.1％-0.2％多菌靈、30-50mg/L萘乙酸的水溶液敞口瓶中，2-3d更換一次水溶液，給予3500-4000Lux的光照，溫度控制在18-25℃,7-15d萌芽，取萌發(fā)后生長(zhǎng)3-5d的幼嫩腋芽于超凈工作臺(tái)上進(jìn)行消毒處理，去掉嫩芽的葉片，切取長(zhǎng)0.5-1.0cm的莖段接種于快繁培養(yǎng)基上培養(yǎng)，15-20d后莖段腋芽快繁出芽，并于基部再生出多個(gè)芽，45d為一個(gè)繼代周期，長(zhǎng)勢(shì)一致的組培苗經(jīng)過壯苗培養(yǎng)即可成為接穗；
B、砧木培育：室內(nèi)保育的優(yōu)良砧木離體材料經(jīng)過壯苗培養(yǎng)，選取主莖高度達(dá)2-4cm，莖桿直徑0.1-0.4cm的健壯幼苗即可用于嫁接；
C、無菌嫁接：將砧木主莖從試管內(nèi)取出，超凈工作臺(tái)上置于無菌濾紙上去掉頂端，切取成單個(gè)含1-2個(gè)腋芽、長(zhǎng)1.5-2.5cm的莖段，去掉莖段上葉片，套上塑料軟管，拉滑至形態(tài)學(xué)下端，形態(tài)學(xué)上端切口中央向下橫切一刀，深0.5-0.8cm；同時(shí)取出接穗主莖，同樣切取成單個(gè)含2-3個(gè)腋芽、長(zhǎng)度為0.5-1.5cm的莖段，去掉形態(tài)學(xué)下端基部1-2片葉，并削成楔形，迅速插入砧木橫切口中，保證二者一端的形成層對(duì)齊，再輕輕拉上塑料軟管至嫁接口處固定即完成嫁接操作；
D、嫁接體生根培養(yǎng)：處理好的嫁接材料夾取砧木基部插入生根培養(yǎng)基進(jìn)行生根誘導(dǎo)；
E、嫁接苗移栽：嫁接處理7d后，接穗腋芽開始萌動(dòng)，有萌發(fā)跡象，7-12d，砧木基部再生形成肉眼可見根生長(zhǎng)點(diǎn)，25-30d接穗腋芽萌發(fā)伸展，肉眼可見嫁接口愈合良好，愈合處膨大，砧木基部生根良好，取出嫁接苗，洗凈根部培養(yǎng)基，蘸取1％的多菌靈溶液5-10s，而后移栽到育苗營(yíng)養(yǎng)缽中，移栽后管理按照常規(guī)組培苗的移栽管理操作進(jìn)行；
其特征在于：
所述步驟A中的接穗準(zhǔn)備：
其無菌體系建立所用培養(yǎng)基MS+TDZ 1.0-3.0mg/L+NAA 0.1-1.0mg/L+30％蔗糖+0.8％瓊脂，pH5.5-6.0，培養(yǎng)條件為8h/d光照，光照強(qiáng)度2500-3000lux，溫度22-26℃，壯苗培養(yǎng)用配方為MS+TDZ0.2-0.8mg/L+NAA 0.01-0.05mg/L+30％蔗糖+0.8％瓊脂，pH5.5-6.0培養(yǎng)條件為10-12h/d光照，光照強(qiáng)度3000-3500lux，溫度22-26℃；
所述步驟B中的砧木培育：
其無菌體系建立所用培養(yǎng)基MS+6-BA 1.0-3.0mg/L+IBA1.0-3.0mg/L+30％蔗糖+0.8％瓊脂，繼代培養(yǎng)用配方為MS+6-BA 0.1-1.0mg/L+IABA0.01-0.2mg/L+30％蔗糖+0.8％瓊脂，pH5.5-6.0，培養(yǎng)條件為12h/d光照，光照強(qiáng)度3000-3500lux，溫度22-26℃；
所述步驟D中嫁接體生根培養(yǎng)：
所述砧木生根培養(yǎng)基選用1/2MS+IBA 0.1-0.8mg/L+30％蔗糖+1.2％瓊脂，培養(yǎng)條件為8h/d光照，光照強(qiáng)度2500-3500lux，溫度22-26℃。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院武漢植物園，未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院武漢植物園許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010595685.4/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
