[發明專利]降低接觸孔電阻的方法有效
| 申請號： | 202010594526.2 | 申請日： | 2020-06-28 |
| 公開（公告）號： | CN111653518B | 公開（公告）日： | 2022-10-04 |
| 發明（設計）人： | 呂穿江;王曉日;孫少俊 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 接觸 電阻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低接觸孔電阻的方法，其特征在于，該降低接觸孔電阻的方法至少包括以下步驟：
提供含有第一金屬互連線的第一互連層；所述第一金屬互連線為鋁互連線；
在所述第一互連層上制備層間介質層；
刻蝕所述層間介質層，形成接觸孔，使得所述接觸孔向下與所述第一金屬互連線的表面接觸；
向所述接觸孔中填充導電材料形成導電層；所述導電材料為金屬鎢；
在溫度400℃-440℃下進行金屬退火工藝，所述金屬退火工藝的時間為50min-70min。
2.如權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于，所述層間介質層的厚度為300nm-400nm。
3.如權利要求1所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于，在刻蝕形成接觸孔后，在向所述接觸孔中填充滿導電材料前，還進行：
在所述接觸孔的內壁上依次淀積形成黏附層和阻擋層。
4.如權利要求3所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于，所述黏附層為鈦層。
5.如權利要求3所述的降低接觸孔電阻的方法，其特征在于，所述阻擋層為氮化鈦層。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
