[發明專利]具有電氣隔離的半導體芯片的半導體裝置在審
| 申請號: | 202010591853.2 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN112185946A | 公開(公告)日: | 2021-01-05 |
| 發明(設計)人: | R·M·沙勒 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 黃倩 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 電氣 隔離 半導體 芯片 裝置 | ||
本申請的各實施例涉及具有電氣隔離的半導體芯片的半導體裝置。該半導體裝置包括:芯片載體;布置在芯片載體上的第一半導體芯片,其中第一半導體芯片在半導體裝置的運行期間處于第一電氣電位域中;布置在芯片載體上的第二半導體芯片,其中第二半導體芯片在半導體裝置的運行期間處于與第一電氣電位域不同的第二電氣電位域中;以及布置在第一半導體芯片與第二半導體芯片之間的電絕緣結構,該電絕緣結構被設計為使第一半導體芯片與第二半導體芯片彼此電氣隔離。
技術領域
本公開總體上涉及半導體技術。特別地,本公開涉及具有電氣隔離的(galvanischisoliert)半導體芯片的半導體裝置。
背景技術
半導體裝置可以包含多個半導體芯片。例如,出于安全原因,傳感器應用可以具有冗余的多個傳感器芯片。在裝置的運行期間,在半導體芯片之間可能會出現電位差。一方面,這樣的電位差可以是靜態的,并且可以在較長的時間段上存在。另一方面,電位差可以以電壓峰值的形式出現。半導體芯片之間的欠缺的或不足的隔離可能會導致該半導體芯片的損壞。半導體裝置的制造商一直致力于改善其產品。特別地,在這里值得期望的是,提供半導體裝置的可靠且安全的運行。
發明內容
不同的方面涉及一種半導體裝置,該半導體裝置包括:芯片載體;布置在芯片載體上的第一半導體芯片,其中第一半導體芯片在半導體裝置的運行期間處于第一電氣電位域中;布置在芯片載體上的第二半導體芯片,其中第二半導體芯片在半導體裝置的運行期間處于與第一電氣電位域不同的第二電氣電位域中;以及布置在第一半導體芯片與第二半導體芯片之間的電絕緣(elektrisch isolierend)結構,該電絕緣結構被設計為使第一半導體芯片與第二半導體芯片彼此電氣隔離。
附圖說明
在下文中根據附圖進一步闡明根據本公開的半導體裝置。在附圖中示出的元件并不一定相對于彼此按比例繪制。相同的附圖標記可以表示相同的部件。
圖1示意性地示出了根據本公開的半導體裝置100的橫截面側視圖。
圖2示意性地示出了根據本公開的半導體裝置200的橫截面側視圖。
圖3示意性地示出了根據本公開的半導體裝置300的橫截面側視圖。
圖4示意性地示出了根據本公開的半導體裝置400的橫截面側視圖。
圖5示意性地示出了根據本公開的半導體裝置500的橫截面側視圖。
圖6示意性地示出了根據本公開的半導體裝置600的橫截面側視圖。
圖7示意性地示出了根據本公開的半導體裝置700的橫截面側視圖。
圖8示意性地示出了根據本公開的半導體裝置800的橫截面側視圖。
圖9示意性地示出了根據本公開的半導體裝置900的橫截面側視圖。
圖10示意性地示出了根據本公開的半導體裝置1000的橫截面側視圖。
圖11示意性地示出了根據本公開的半導體裝置1100的橫截面側視圖。
圖12示意性地示出了根據本公開的半導體裝置1200的橫截面側視圖。
具體實施方式
圖1示意性地示出了根據本公開的半導體裝置100的橫截面側視圖。以一般方式示出半導體裝置100,以便定性地描述本公開的各個方面。半導體裝置100可以具有另外的方面,為了簡單起見,這些方面在圖1中未示出。例如,半導體裝置100可以以結合根據本公開的其它半導體裝置描述的任何方面擴展。對于圖1的說明同樣可以適用于本文中描述的其它半導體裝置。
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