[發明專利]具有電氣隔離的半導體芯片的半導體裝置

在審

• 申請號: 202010591853.2
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112185946A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: R·M·沙勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/495
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 黃倩

1.一種半導體裝置，包括：

芯片載體；

第一半導體芯片，被布置在所述芯片載體上，其中所述第一半導體芯片在所述半導體裝置的運行期間處于第一電氣電位域中；

第二半導體芯片，被布置在所述芯片載體上，其中所述第二半導體芯片在所述半導體裝置的運行期間處于與所述第一電氣電位域不同的第二電氣電位域中；以及

電絕緣結構，被布置在所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片之間，所述電絕緣結構被設計為使所述第一半導體芯片與所述第二半導體芯片彼此電氣隔離。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中所述電絕緣結構沒有堿土金屬成分。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中所述電絕緣結構沒有增塑劑和溶劑。

4.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中：

所述第一電氣電位域對應于第一接地電位，其中所述第一半導體芯片與所述第一接地電位連接；和/或

所述第二電氣電位域對應于與所述第一接地電位不同的第二接地電位，其中所述第二半導體芯片與所述第二接地電位連接。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，其中：

所述第一電氣電位域對應于所述第一半導體芯片的第一運行電壓；并且

所述第二電氣電位域對應于所述第二半導體芯片的與所述第一運行電壓不同的第二運行電壓。

6.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，還包括：

芯片固定材料，被布置在所述第一半導體芯片與所述芯片載體之間。

7.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述電絕緣結構包括電介質。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中所述電介質包括以下材料中的至少一種材料：陶瓷、玻璃、聚酰亞胺膠帶。

9.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述電絕緣結構被實現為所述第一半導體芯片的表面涂層。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中所述第一半導體芯片的表面涂層包括以下材料中的至少一種材料：氧化硅、氮化硅、金屬氧化物、聚合物、聚酰亞胺。

11.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述電絕緣結構被實現為所述芯片載體的表面涂層。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中所述芯片載體的表面涂層包括以下材料中的至少一種材料：聚對二甲苯、金屬氧化物。

13.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述電絕緣結構被實現為封裝材料，其中所述第一半導體芯片或所述第二半導體芯片中的至少一個半導體芯片被所述封裝材料封裝。

14.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述電絕緣結構是可布設模制型引線框架的一部分。

15.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中所述電絕緣結構被布置在所述第一半導體芯片與所述芯片載體之間。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，還包括：

另外的電絕緣結構，被布置在所述第二半導體芯片與所述芯片載體之間。

17.根據前述權利要求中任一項所述的半導體裝置，其中：

所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片被布置在所述芯片載體的同一面上；并且

所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片彼此堆疊。