[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010590293.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113496903A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 莊坤樹(shù) | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/60 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 張娜;劉芳 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
襯底,具有至少一接墊;
重布線(xiàn)路層,位于所述襯底上,且所述重布線(xiàn)路層至少包括第一介電層與第一導(dǎo)電層,其中:
所述第一導(dǎo)電層具有位于所述第一介電層中的第一端部與第二端部;
所述第一端部通過(guò)所述至少一接墊與所述襯底電性連接;
所述第二端部與所述襯底電性絕緣,且所述第二端部將所述第一介電層分隔出多個(gè)分離區(qū)域;以及
至少一導(dǎo)電端子,位于所述重布線(xiàn)路層上且通過(guò)所述至少一接墊與所述襯底電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一端部于所述襯底上的正投影與所述第二端部于所述襯底上的正投影不重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述襯底還包括絕緣層,所述絕緣層圍繞所述至少一接墊,且所述第二端部連接所述絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括第二介電層與第二導(dǎo)電層,位于所述第一導(dǎo)電層上,其中所述第二導(dǎo)電層具有位于所述第二介電層中的第三端部,且所述第三端部于所述襯底上的正投影與所述第二端部于所述襯底上的正投影相互對(duì)位或相互錯(cuò)開(kāi)。
5.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,包括:
提供襯底,其中所述襯底具有至少一接墊;
形成重布線(xiàn)路層于所述襯底上,其中形成所述重布線(xiàn)路層的步驟至少包括:
形成第一介電層于所述襯底上,所述第一介電層具有彼此分隔開(kāi)的第一開(kāi)口與第二開(kāi)口,且所述第一開(kāi)口暴露出所述至少一接墊,所述第二開(kāi)口將所述第一介電層分隔出多個(gè)分離區(qū)域;
形成第一導(dǎo)電層于所述第一介電層上,其中:
部分所述第一導(dǎo)電層填入所述第一開(kāi)口中以形成第一端部,所述第一端部通過(guò)所述至少一接墊與所述襯底電性連接;
部分所述第一導(dǎo)電層填入所述第二開(kāi)口中以形成第二端部,所述第二端部與所述襯底電性絕緣;以及
形成至少一導(dǎo)電端子于所述重布線(xiàn)路層上,且所述至少一導(dǎo)電端子通過(guò)所述至少一接墊與所述襯底電性連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第二開(kāi)口為以直線(xiàn)方式或曲線(xiàn)方式延伸的溝槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述第二開(kāi)口沿第一方向或沿第二方向延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,以俯視觀之,所述第二開(kāi)口為十字形狀或矩形形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,所述襯底還包括絕緣層,所述絕緣層圍繞所述至少一接墊,且所述第二開(kāi)口暴露出所述絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)的制造方法,其特征在于,形成所述重布線(xiàn)路層的步驟還包括形成第二介電層于所述第一導(dǎo)電層上,其中所述第二介電層具有第三開(kāi)口,所述第三開(kāi)口暴露出所述第一導(dǎo)電層,且所述第三開(kāi)口與所述第二開(kāi)口于第三方向上相互對(duì)位或相互錯(cuò)開(kāi)。
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