[發明專利]一種氧化鈦納米管陣列基光電化學檢測電極的制備方法有效
| 申請號: | 202010589940.4 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN111595914B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發明(設計)人: | 趙建玲;吳志剛;王西新;劉東鑫;朱淼 | 申請(專利權)人: | 河北工業大學 |
| 主分類號: | G01N27/30 | 分類號: | G01N27/30;C25D11/26;C23C18/12;C23C18/44;B82Y40/00;B82Y15/00 |
| 代理公司: | 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 趙鳳英 |
| 地址: | 300130 天津市紅橋區*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 納米 陣列 光電 化學 檢測 電極 制備 方法 | ||
1.一種氧化鈦納米管陣列基光電化學檢測電極的制備方法,其特征為該方法包括以下步驟:
(1)將清洗后的Ti片插入混合溶液中,Ti片為陽極,用Pt片作陰極,在溫度為35~45℃、電壓為35~45V的條件下陽極氧化2~4小時,反應結束后,經洗滌、烘干,得到表面生成二氧化鈦納米管陣列薄膜(TNTA)的金屬鈦片;
其中,混合溶液的組成為氟化銨、蒸餾水與乙二醇,質量配比為,氟化銨、蒸餾水與乙二醇=0.1~0.2:2.5~7.5:42.5~47.5;
(2)將附著有TNTA的鈦片先放入銀離子溶液中浸泡5~15min,水洗后放入0.05~0.20MNaOH溶液中浸泡5~15min,再將樣片放入蒸餾水中浸泡3~5min;進行“銀離子溶液浸泡-NaOH溶液中浸泡-蒸餾水中浸泡”流程1-9次后,將材料取出,在430~460℃下煅燒1~3h,得到Ag修飾的TNTA(標記為Ag-TNTA);
其中,所述的銀離子溶液是濃度為0.01~0.05M的硝酸銀溶液,并且含有0.01~0.1M硝酸和0.01~0.1M界面活性劑;
(3)將Ag-TNTA先放入銅銀離子混合溶液中浸泡5~15min,水洗后放入0.05~0.20MNaOH溶液中浸泡5~15min,再將樣片放入蒸餾水中浸泡3~5min;進行“銅銀離子溶液浸泡-NaOH溶液中浸泡-蒸餾水中浸泡”流程1~9次后,將材料取出,得到銅銀氫氧化物/Ag-TNTA樣片;
完成上述步驟后,將銅銀氫氧化物/Ag-TNTA樣片放入聚四氟乙烯內襯的水熱反應釜中,加入還原溶液浸沒,在120~140℃水熱反應5~7h,冷卻、洗滌,室溫晾干,即得光電檢測電極(標記為Ag-Cu/Ag-TNTA);
其中,所述的銅銀離子混合溶液是總濃度為0.05~0.1M的硝酸銅與硝酸銀的混合溶液,硝酸銅與硝酸銀的摩爾比為1:9~9:1,并且含有0.01~0.1M硝酸和0.01~0.1M界面活性劑;
所述的還原溶液為含有還原劑的0.1~0.5M NaOH溶液,還原劑為葡萄糖、水合肼或甲醛,還原劑的添加量為100ml NaOH溶液中加入0.1~1.0g。
2.如權利要求1所述的氧化鈦納米管陣列基光電化學檢測電極的制備方法,其特征為所述的步驟(2)、(3)中的界面活性劑為乙醇胺。
3.如權利要求1所述的方法制備的氧化鈦納米管陣列基光電化學檢測電極,其特征為該電極可用于高錳酸根和多巴胺的檢測。
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