[發(fā)明專利]任意切割圖案化的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010589144.0 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN112242348A | 公開（公告）日： | 2021-01-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 彭士瑋;林威呈;賴志明;曾健庭 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 任意 切割 圖案 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種任意切割圖案化的方法，其特征在于，包含：
在一半導(dǎo)體裝置的一單元中形成一第一金屬線及一第二金屬線，其中該第一金屬線與該第二金屬線于一垂直方向延伸；以及
在該半導(dǎo)體裝置的該單元中形成一第三金屬線與一第四金屬線，其中該第三金屬線與該第四金屬線分別垂直該第一金屬線與該第二金屬線，且該第三金屬線與該第四金屬線是通過以下操作來形成：
使用一第一圖案化技術(shù)形成一第一圓形區(qū)域與一第二圓形區(qū)域，其中該第一圓形區(qū)域于該第一金屬線的一端，且該第二圓形區(qū)域于該第二金屬線的一端；以及
使用一第二圖案化技術(shù)側(cè)向延伸該第一圓形區(qū)域，以形成該第三金屬線，并側(cè)向延伸該第二圓形區(qū)域，以形成該第四金屬線。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
